Способ термообработки кристаллических образцов Советский патент 1975 года по МПК B01J17/00 

1

Изобретение относится к способам термообработки кристаллических образцов и может найти применение в полупроводниковой технике.

Известен способ удаления дефектов, например пор, путем многократного нагрева кристалла до температуры

(O,8-O,9) Т К и последующего охлаждения до температуры Т г (0,4 ггт, камере под давлением 10 С Л«1

-1О ат.

Известный способ не обеспечивает э4 фективного удаления примесей, так как для этого необходима специальные режимы охлаждения.

С целью понижения остаточного содержания примесей с положительной энергией связи с вакансиями, после термообработки образцов процесс охлаждения ве-2+2

дут со скоростью 10 - 10 град/сек.

Возникшую приповерхностную сегрегацию примесей периодически удаляют, например, химическим растворением.

Пример 1. Поликристаллы кадмия размером 0,6x5x3О мм с величиной зерна 1 мм подвергают десятикратЛч

ному нагреву и охлаждению- от Т « 2О С

О

. с в вертикальной вакуумной

}

1печи с разрежением торр со ско ростьюч1 град/сек (посредством перемещения образцов в печи). При Т образцы выдерживают 15 мин.

После каждого цикла нагрев - охлаждение проводят химическое; растворение Iприповерхностного слоя толщиной 1б мкм :в бидистилляте азотной кислоты. Содержимое примесей в исходном кадмии составляет. вес.%: РЬ Zn 2 . После обработки кадмия по предлагае- ому способу содержание этих примесей а пределами химико-спектрального анализа. вес.%: РЬ 4 2 ZncL Ю. Пример 2. Поликристаллы алюми-

3 иия размером 0,6х5хЗО мм с величиной

зерна 1 мм подвергают десятикратному нагреву от до Т и

охлажаению со скоростью 5 град/сек в воздушной атмосфере. При Т образцы выдержи ваюпг 15 мин. После каждого цикла Hfirpesa - охлаждения растворяют припОверхнсютный слой толщиной 1О мкм fe кипящем бидистняляте азотной кислоты.

Исходный алюминий содержит примеси,

вес.%: Sll.e . ,0 бо З.ОЛО tFe7 1-10 ZK 2Д-|6-1

После термоциклирования содержание магния, железа, молибдена уменьшилось

в рпэа, а содержание остальных примесей в пределах погрешности спектрального анализа осталось без изменения.

Предмет изобретения

CnocoiS термообработки кристаллических образцов путем многократного нагрева до Т, (0,8-0,9) Т °К я охлажденяя 1пл

до ,4-О,7) Т °К, о т л и ч а ю .ПЛ

ш и с я тем, что, с целью понижения остаточного содержания првмесей с положительной энертей связи с вакансиями, лроаесс охлаждення ведут со скоростью .-2 . 4-2

Ю--- 10

град/сек.