Материал для токопроводящей фазы резисторов Советский патент 1976 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU504251A1

(54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ТОКОПРОВОДЯЩЕЙ ФАЗЫ РЕЗИСТОРОВ

Двойной борид получаетсяпо следующей технологии. Из предварительно прокаленных (ISO 2 часа), В (170°С, 3 часа) и Ва €03, взятых в нужноМ соотношении, составляют шихту для совместного получения двойного борида (Ba,Sin)Bg в натервале составов ( . ) Ба Л При этом ВаСо берут на 20 вес.% больше расчётного количества. Шихту прессуют в брикеты, загружают в тигли из ZnBj, в качестве засыпки используютВа Вб Образцы получают в вакуумной печи с начальным вакуумом 1 10 мм рт. ст. по следук щему режиму: повышают температуру до , выдерживают в течение 15 мин, затем повышают тем пературу до 1600С и снова вьщерживают в течение 15 мин, после чего нагрев перкрашают. I

Полученные образцы размалывают, из порошка

прессуют и спекают компактные образцы для измерения резистивных свойств при температуре 2050° С в течение 10 мин в вакууме.

Полу енные составы обладают низкими значениями термического коэффициента сопротивления и дают возможность, изменяя соотношение KOMnojienтов, получать резистивные материалы с широким диапазоном удельных значений электросопротивления.

Это позволит номинальные значения резисторов более ишрокихдиапазоновдем при обычно при-, нятом изменении количественного соотношения; проводящая фаза-стекло, наполнитель. Предлагаемый материал не разлагается в процессе изготовления резисторов, устойчив в окислительных средах до 800 С, он может быть использован в качестве токопроводяшей фазы толстопленочных и объемных резисторов в электронной промьипленности.

Формула изобретения

Материал для токопроводящей фазы резисторов на основе сложных боридов металлов, отличающийся тем, что, с целью снижения значений тем- :1 пературного коэффициента электросопротивления, расширения диапазона номинальных значений и стабилизации свойств материала в процессе изготовления резисторов, он содержит следующие ингредиенты, вес %:

26,1-40,0 29,0-43,0 30,9-31,0

Похожие патенты SU504251A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1973
  • Самсонов Григорий Валентинович
  • Горячев Юрий Михалович
  • Рудь Борис Михайлович
  • Шулишова Ольга Ивановна
SU470868A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА 2005
  • Горский Олег Борисович
  • Дашко Валерий Никитович
  • Кудинов Сергей Андреевич
  • Панчишка Анастасия Васильевна
RU2297682C1
Резистивный материал 1979
  • Кононюк Иван Федорович
  • Махнач Леонид Викторович
  • Сурмач Нина Григорьевна
SU890443A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 2007
  • Уткин Валерий Николаевич
  • Кортунова Людмила Яковлевна
  • Семенова Алевтина Юрьевна
RU2330342C1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
SU313225A1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1
Резистивный материал 1980
  • Акулова Людмила Тарасовна
  • Рудь Борис Михайлович
  • Смолин Михаил Дмитриевич
  • Тельников Евгений Яковлевич
  • Корнатовский Юрий Антонович
  • Негляд Юрий Константинович
  • Федоров Виктор Николаевич
SU942174A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
  • Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Т. Я. Косолапова, Ю. П. Юсов,
  • Л. Власов, В. Т. Павлов Г. Г. Рудовол
SU313227A1
СОСТАВ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТИВНОЙ ПЛЕНКИ 1997
  • Проневич Игорь Иванович
  • Подденежный Евгений Николаевич
  • Мельниченко Игорь Михайлович
RU2159475C2
Резистивный материал 1977
  • Петров Александр Иванович
SU705535A1

Реферат патента 1976 года Материал для токопроводящей фазы резисторов

Формула изобретения SU 504 251 A1

SU 504 251 A1

Авторы

Самсонов Григорий Валентинович

Буданова Ирина Гербертовна

Мудролюбов Юрий Михайлович

Рудь Борис Михайлович

Шулишова Ольга Ивановна

Даты

1976-02-25Публикация

1974-02-27Подача