Изобретение относится к технике изготовления резисторов и может быть использовано для получения переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа.
Известны резистивные материалы для объемных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего.
Однако резисторы, изготовленные из этих материалов, обладают низкой теплостойкостью и значительным температурным коэффициентом сопротивления.
С целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления, повышения теплостойкости и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы предлагаемого материала применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло, при этом исходные компоненты смеси могут быть взяты в следующем соотношении, вес. %: сложный карбид циркония
и вольфрама50-80
силикатноборобариевое стекло50-20
В качестве примера использования предлагаемого материала изготовлены резисторы объемного типа методом горячего прессования при температуре 900°С в слабо восстановительной среде из резистивного материала
2го,7Шо,зС со Связующим - стеклом, содержащим (в весовых процентах) SiO2 (4,3); В2Оз (18,6); ВаО (77,1).
Содержание резистивного материала в композиции составляет, вес. %: 50-80, а остальное до 100%-стеклосвязка.
Испытания полученных резисторов показывают, что они обладают повышенной теплостойкостью (до +300°С) и температурным коэффициентом сопротивления, не шревышающим 5- Ю- град-.
После выдержки резисторов в течение 100 час при температуре 155°С под напряжением, соответствующем 100% номинальной мощности, изменение сопротивления резисторов не превышает 3%.
Предмет изобретения
20
1. Резистивный материал для объемных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления и повыщения теплостойкости, в качестве токопроводящей фазы применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло. 3 щийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, исходные компоненты смеси взяты в следующем соотношении, вес. %: 4 сложный карбид циркония и вольфрама50-80 силикатноборобариевое стекло50-20
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 1971 |
|
SU319000A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347812A1 |
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU317113A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1972 |
|
SU347807A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU347811A1 |
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1971 |
|
SU313225A1 |
РЕЗИСТИВНЬШ МАТЕРИАЛI 1 • к .; .,^taeaaCfoifLv •ч-,-, i.. | 1972 |
|
SU347809A1 |
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА | 1971 |
|
SU303660A1 |
ТОКОПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ | 1972 |
|
SU434487A1 |
Резистивный композиционный материал | 1978 |
|
SU834782A1 |
Авторы
Даты
1971-01-01—Публикация