РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ Советский патент 1971 года по МПК H01C7/06 

Описание патента на изобретение SU313227A1

Изобретение относится к технике изготовления резисторов и может быть использовано для получения переменных и постоянных непроволочных резисторов объемного типа.

Известны резистивные материалы для объемных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего.

Однако резисторы, изготовленные из этих материалов, обладают низкой теплостойкостью и значительным температурным коэффициентом сопротивления.

С целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления, повышения теплостойкости и уменьшения температурного коэффициента сопротивления, в качестве токопроводящей фазы предлагаемого материала применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло, при этом исходные компоненты смеси могут быть взяты в следующем соотношении, вес. %: сложный карбид циркония

и вольфрама50-80

силикатноборобариевое стекло50-20

В качестве примера использования предлагаемого материала изготовлены резисторы объемного типа методом горячего прессования при температуре 900°С в слабо восстановительной среде из резистивного материала

2го,7Шо,зС со Связующим - стеклом, содержащим (в весовых процентах) SiO2 (4,3); В2Оз (18,6); ВаО (77,1).

Содержание резистивного материала в композиции составляет, вес. %: 50-80, а остальное до 100%-стеклосвязка.

Испытания полученных резисторов показывают, что они обладают повышенной теплостойкостью (до +300°С) и температурным коэффициентом сопротивления, не шревышающим 5- Ю- град-.

После выдержки резисторов в течение 100 час при температуре 155°С под напряжением, соответствующем 100% номинальной мощности, изменение сопротивления резисторов не превышает 3%.

Предмет изобретения

20

1. Резистивный материал для объемных резисторов на основе тугоплавкого карбида и стеклянного связующего, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона номинальных значений сопротивления и повыщения теплостойкости, в качестве токопроводящей фазы применен сложный карбид циркония и вольфрама, а в качестве связки использовано силикатноборобариевое стекло. 3 щийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, исходные компоненты смеси взяты в следующем соотношении, вес. %: 4 сложный карбид циркония и вольфрама50-80 силикатноборобариевое стекло50-20

Похожие патенты SU313227A1

название год авторы номер документа
РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ 1971
SU319000A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1972
SU347812A1
МАТЕРИАЛ ДЛЯ НЕПРОВОЛОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ ОБЪЕМНОГО ТИПА 1971
  • Л. Г. Власов, В. Т. Павлов, Г. Г. Рудовол, Н. Павлушкин, А. С. Агарков Р. А. Болдырев
SU317113A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1972
SU347807A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1972
SU347811A1
РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ 1971
SU313225A1
РЕЗИСТИВНЬШ МАТЕРИАЛI 1 • к .; .,^taeaaCfoifLv •ч-,-, i.. 1972
  • Ю. П. Юсов, Л. Г. Власов, Г. Г. Рудовол, В. Т. Павлов, Г. В. Самсонов,
  • Т. В. Дубовик Т. Г. Куценок
SU347809A1
РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА 1971
  • Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев, Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина П. И. Королева
SU303660A1
ТОКОПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ 1972
  • Изобретени А. С. Борухович, Ю. Г. Зайнулин, С. И. Мовский, Г. П. Швейкин
  • П. В. Гельд
SU434487A1
Резистивный композиционный материал 1978
  • Михайлов Борис Петрович
  • Суворов Валерий Александрович
  • Выскубов Владимир Петрович
  • Белорусец Людмила Васильевна
  • Мержанов Александр Григорьевич
  • Боровинская Инна Петровна
SU834782A1

Реферат патента 1971 года РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Формула изобретения SU 313 227 A1

SU 313 227 A1

Авторы

Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Т. Я. Косолапова, Ю. П. Юсов,

Л. Власов, В. Т. Павлов Г. Г. Рудовол

Даты

1971-01-01Публикация