Способ формировки электродов электро-химических интеграторов дискретно-го действия Советский патент 1976 года по МПК H01G9/22 

тойчивой во времени истинной поверхности, зависит от количества пропущенного электричества и уменьшается с уменьшением последнего. Затем в интегратор временно вводят дополнительный серебряный электрод н подключают его к положительному полюсу источника постоянного тока. Минус подают на рабочий электрод, покрытый слоем AgCl, и пропускают ток до полного восстановления хлористого серебра на рабочем электроде. После этого проводят формовку вспомогательного электрода (плюс - на вспомогательный электрод, минус - на дополнительный) на номинальный заряд, дополнительный электрод удаляют, электролит в интеграторе меняют на свежий, ампулу запаивают и проводят испытания.

Формула изобретения

Способ формовки электродов электрохимических интеграторов дискретного действия, основанный на нанесении хлористого серебра анодным токо.м на поверхность серебряного электрода, отличаюпдийся тем, что, с целью снижения внутреннего сопротивления интеграторов и расширения диапазона рабочих

температур и токов, па электрод интегратора анодным током наносят слой хлористого серебра в количестве, превышающем номинальное в 1,5-2 раза, удаляют его восстановлением катодным током, причем процесс повторяют до получения стабильной величины истинной поверхности электрода, а затем наносят номинальное количество хлористого серебра.