Способ определения глубины залегания микрослоев и микродефектов Советский патент 1976 года по МПК H01L21/66 

1

Изобретение относится к методам контроля микрослоев и микродефектов иоверхностей и может быть использовано, например, для контроля нарушенных и диффузионных слоев в полупроводршках.

Известен способ определения толщины эиитаксиального или диффузионного слоя в любой точке илоского косого шлифа с предварительно нанесенным на поверхность образца окрашениьш слоем, оптические свойства которого отличаются от свойств исследуемого материала, путем определения толщины слоя расчетным путем с помощью оптического микроскапа.

Недостатком аиособа является большая трудоемкость получения плоского косого шлифа и создания тонкого слоя материала, отличающегося по оптическим свойствам от свойств полупроводникового материала, и невысокая точность измерения, связаииая с применением оптического микроскопа, а также невозможность его применения для измерения малых эпитаксиальИых и диффузионных толщин. Способ применяется при проведении физикохимических исследований в случае зпятаксиальиых и диффузиоиных слоев 01коло 10 мкм

1 Известен также способ определения микрорельефа поверхностей с помощью электронного микроскопа, включающий нанесение на

исследуемую поверхность реплики, воспроизводящей рельеф поверхности, и измерение. Однако при отделении реплики от исследуемой поверхности нарущается целостность реплики

на границе с бобковыми поверхностями, что не

дает возможности применять данный способ

для определения глубины залегания МИКрослоев из-за отсутствия границы отсчета 2.

Наиболее близким техническим рещеиием к

данном) изобретению является способ определения глубины залегания микрослоев и микродефектов на исследуемой поверхности путем их выявления с помощью химического окрашиваиия жидким люминофором и измерения с

помощью оптического микроскопа 3.

Недостатком этого способа является ограниченная область использования, неточность определения глубин за счет адсорбции на основном и разрущенном материале, а также

невысокая точность и ограничения в измерении малых глубин, например 0,5 мкм и меньше, за счет разрешающей способности оптического микроскопа. Цель изобретения - увеличение диапазона

измерений при измерении на электронном микроскопе.

Это достигается тем, что наносят материал реплшш, воспроизводящей рельеф микрослоев и микродефектов, одновременно на поиеречное сечение образца и его боковые сторо