Резистивный материал и способ изготовления толстопленочных резисторов на его основе Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 H01C17/00 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛС ТОПЛЕНОЧнУх РЕЗИСТОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ

Изобретение относится к электронной технике и может быть исполЕзЗовано, например в микроэлектронике для изготовления толстопленочных резисторов.

Известен резистивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок иинкалюмоборатного стекла и бор. Толстопленочные резисторы на его основе изготовляют путем Нанесения на диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее 1 .

Недостатки известного резистивного материала и способа изготовления толстопленочных резисторов на его основе состоят в высоком температурном коэффициенте сопротивления (ТКС), низкой влагоустойчивости и термостабильностн.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистив- ный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборатного стекла и бор. Способ изготовления толстопленочных резисторов на основе этого резистивного материала включает нанесение на

диэлектрическую подложку резистивной КОМПОЗИ1ШИ с последующим вжиганием ее С2 .

Недостатки известного резистивного материала и способа изготовления толстопленочных резисторов на его основе заключаются в высоком ТКС, низкой влагоустойчивости и т-ермостабильности.

11ель изобретения - снижение температурного коэффихйента сопротивления, по10вышение влагоустойчивости и термостабильности.

Поставленная цель достигается тем, что резнетивный материал, содержащий мелкодисперсный порошок цинкалюмоборат15ногр стекла и бор, содержит в качестве мелкодисперсного порошка цинкалюмоборатного стекла смесь оксидов 2пО BirtOi - MoOj - BrtO, при следующем соотношении компонентов, вес. % :

20

Смесь оксидов 2пО- jCij|-

02 - 99

Bi Oj-MoOj-B-jO 1-8

Бор 396 При этом оксиды смеси 7пО Bij j взяты в следующи количествах, вес. ZnO 30,80-36,39 /AC-jOj 5,48-6,44 5,34-14,70 МООз 15,13-16,50 32,93-35,92 Кроме того, согласно спосооу изготов пения толстопленочных резисторов на основе резнетивного материала, включаюше I1y нанесение на диэлектрическую подложк р|взистивной композиции с последующим .вжиганием ее, отличается тем, что вжигание проводят при 630 - 640 С в течение 8 - 12 мин. Для получения резистивногЬ материала подготовлено четыре смеси компонентов,содержащие каждая, вес. % : Смеси оксидов 2пО -А220 - 81-2.03 - 92; 98; 99 и 96 и бора 8 ; 2 ; 1 и 4. Каждую смесь приготовляют следующи образом.. Мелкодисперсный порошок смеси оксидов 2пО BiijOj -MoO-j - сваривают в стеклообразное.состояние с последующим помолом, смещивают с бором и органическим связующим в виде смеси ланолина, вазелина и циклргексано- ла, взятых в соотнощении 4,5 - 1,5 : 1, и тщательно перемешивают компоненты. Для получения высокоомных резисторов мелкодисперсный порошок стекла предварительно подвергают термообработке при 60О t 20°С в течение 2 - 1О ч перед смешиванием с бором и органическим свя зующим. Полученную композишпо наносят методом трафаретной печати на керамичес кую подложку 22 С с контактными пло щадками, например из сплава - Pd, и проводят вжигание в воздушной среде конвейерной электропечи при 635; 63О, 640 и 638°С в течение 8, 12, 11 и 1О мин соответственно. Оксиды смеси ZnO - Bii O-xMoOij - использованы в количествах, указанных в таблице. 9. 4 В изготовленной партии из 40О топстопленочных резисторов уход номинальных значений сопротивления резисторов после роздействия пяти термоциклов от до + 125°С составляет не более 0,5%. После выдержки толстопленочных резисто-ч. ров в условиях относительной влажности воздуха 98% при + 4О°С в течение ЗОсут уход номинальных значений сопротивления составляет не более 1%. ТКС резисторов с удельным сопротивлением от 100 Ом/кВ до 1ОО кОм/кВ в интервале температур от -60°С до + не хуже ± 1 1/град. Предлагаемое изобретение позволяет повысить надежность гибридных интегральных микросхем с толстопленочными резисторами и снизить их себестоимость. Формула изобретения 1. Резистинный материал, содержащий мелкодисперсный порощок цинкалюмоборатного стекла и бор, отличающийс я тем, что, с целью снижения темпе;ратурного коэффициента сопротивления, повьшгения влагоустойчивости и термостабильности, он содержит в качестве мелкодисперсного порошка цинкалюмоборатного стекла смесь оксидов ZnO - /АР О Bi-jOj - Мо Oj - при следующем соотношении компонентов, вес. % ; Смесь оксидов ZnO-АС О - ° 3 7°392-99 Вор1-8 2.Материал по п. 1, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что оксиды смеси ZnO - ,,- ,,- MoOj - взяты в следующих количествах, вес. % : . 2пО30,80-36,39 ,48 -6,44 ,34-14,70 AoOз . 15,13-16,50 67.0332,93-35,92 3.Способ изготовления толстопленочных резисторов на основе резистивного материала по п. 1, включающий нанесение на диэлектрическую подложку резистивной композиции с последующим вжиганием ее,