(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛСВ
ками контейнера. Данным сгюсобом были получены монокристаллы германия диаметром 10-11 мм и длиной 60-90 мм.
В результате осуществления предложенного способа производительность процесса увеличивается в 1,5-2 раза.
Формула изобретения
Способ выращивания монокристаллов, например полупроводников, направленной кристаллизацией расплава в трубчатом контейнере, установленном под углом к горизонту, с частичным заполнением полости контейнера расплавом исходного материала и вращением контейнера вокруг продольной оси со скоростью 300-400 об/мин, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости кристаллизации, вращают расплав со скоростью 100-200 об/мин противоположно направлению вращения контейнера.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
1. Авторское свидетельство СССР У 262860, кл. В 01 j 17/00, 1970.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1970 |
|
SU262860A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2134314C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ AB | 2009 |
|
RU2400574C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКРАШЕННЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2132416C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ (ЕГО ВАРИАНТЫ) | 1999 |
|
RU2133787C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 1991 |
|
RU2035530C1 |
УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2009 |
|
RU2418109C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКСИДОВ | 2006 |
|
RU2320789C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОПРОЧНОГО МАТЕРИАЛА (ВАРИАНТЫ), УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЭТОГО МАТЕРИАЛА И СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1997 |
|
RU2157431C2 |
Способ выращивания монокристаллов парателлурита из расплава по Чохральскому | 2015 |
|
RU2614703C1 |
Газ F7
ил V ИУхУх7
Авторы
Даты
1978-10-15—Публикация
1974-06-03—Подача