В научно-исследовательских лабораториях и на производстве часто встречается необходимость узнать направление кристаллографических осей в кристаллическом блоке, а также присутствие или отсутствие в нем двойников, например, в кристаллах горного хрусталя и сегнетовой соли, применяемых в радиотехнике.
В настоящее время, как известно, существуют четыре способа для определения кристаллографических осей и двойников: 1) рентгенометрический, 2) оптический (под микроскопом на федоровском столике), 3) способ протравливания и 4) способ фигур удара.
Однако, первые два способа являются очень сложными, и пользование ими обходится дорого. Четвертый способ применим не ко всем, минералам и является лишь вспомогательным. Третий способ, наиболее экономичный и лучший, тоже не всегда является действительным: в некоторых случаях не получается фигур травления, в других же случаях по фигурам травления нельзя или очень трудно определить ориентировку кристалла.
С целью упрощения и удешевления, а также получения более точных результатов исследования, предлагается способ, состоящий в том, что блок кристалла на несколько минут или даже на доли минуты опускают в сильно пересыщенный раствор соли, из которой состоит кристалл или блок исследуемого кристалла. В этом случае блок покрывается ступеньками роста кристалла, т.е. мелкими кристаллами, одна сторона которых составляет одно целое с массой блока, а другие являются гранями, которые параллельны граням кристалла, из которого вырезан блок.
По этим граням ступенек определяют ориентировку основной массы кристалла и ее двойниковатость.
Данный способ может быть применим лишь для тех солей, из которых можно сделать насыщенный раствор и кристаллы которых растут достаточно быстро, например, монокристаллы сегнетовой соли, селитры, каменной соли и др.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ | 1939 |
|
SU58253A1 |
Способ формирования доменной структуры в кристалле тетрабората стронция или тетрабората свинца, нелинейный оптический конвертер и лазерная система на его основе | 2023 |
|
RU2811967C1 |
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ДИНАМИЧЕСКИ ДЕФОРМИРОВАННЫХ МЕТАЛЛОВ | 1993 |
|
RU2080587C1 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ | 2000 |
|
RU2194100C2 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР | 1997 |
|
RU2136789C1 |
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок | 1952 |
|
SU101189A1 |
Способ определения ориентации монокристаллов | 1975 |
|
SU543856A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ПЬЕЗОУСТРОЙСТВ С ПЬЕЗОВИБРАТОРАМИ СРЕЗОВ yx1/+45° И yx1/-45° | 2009 |
|
RU2397605C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА | 1998 |
|
RU2133307C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА ИНДИЯ | 2010 |
|
RU2462541C2 |
Способ определения направления кристаллографических осей и двойников, отличающийся тем, что кристаллический блок погружают а сильно пересыщенный раствор соли исследуемого блока для образования ступенек и фигур роста отдельных субиндивидов кристалла.
Авторы
Даты
1938-04-30—Публикация
1937-03-15—Подача