Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок Советский патент 1955 года по МПК C30B7/00 C30B29/56 

Описание патента на изобретение SU101189A1

Принято считать, что в любом способе выращивания кристал.юв из растворов имеются три основных элемента; состав и степень пересыщения раствора, форма и ориентировка затравок и, наконец, способ движения кристалла относительно раствора.

При выборе формы и ориентировки затравок приходится руководствоваться как особенностями роста кристаллов, так и соображениями, связанными с удобством изготовления изделий, поскольку последние, как правило, ориентированы определенным образом относительио кристаллографических осей.

В основу предлагаемого способа выращивания кристаллов виннокислого калия положено использование затравок, имеющих форму стерж;ня и вырезаемых из кристалла-заготовки.

Особенностью предлагаемого способа изготовления таких затравок. обеспечивающего повышение скорости роста кристалла и получение наиболее рациональной (с точки зрения будущего раскроя изделий) формы кристалла, а именно с сильно развитыми гранями С (ОО) пинакоида. является ориентировка затравочных

стер жней. Необходима я ор иекти ро в ка достигается, в соответствии с изобретением, путем вырезания стержиеп-затравок параллельно ребру, образова1п-гаму пересечением грани С(ОО) П1п-1акоида с v..:. 6biCTрорастущих граней диэдра.

Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располагаются на плоском крнсталлоносце так, чтобы грань, обладающая наибольшей скоростью роста, бы.ла направлена наружу.

Сущность изобретения покснястся чертежом, изображающим полнузо естественную форму кристалла зяннокислого калия.

Как показали исследования, скорости роста различных граней кристалла виннокислого калия существенно различны.

Для производства желательно иметь кристаллы, имеющие широкие, хорошо развитые грани С. Это обусловлено тем, что пластины для пьезорезонаторов вырезаются параллельно этой грани так. что длина их составляет угол в 45° с пысотоГг кристалла.

С целью обеспечения наиболее быстрого роста кристаллов виннокаменного калия, а таклсе получения

наиболее рациональной, с точки зрекня раскроя, формы кристаллов, предлагается осуществлять выращивание последних из стержневых затравок, длина которых расположена параллельно ребру, образованному пересечением грани С пинакоида с гранью О положительного диэдра. Затравки указанной ориентировки монтируются на горизонтальном диске, соверщающем реверсивное вращение в растворе и являющемся кристаллоносцем, таким образом, что длинные стороны затравок npmoiaдываются к плоскости диска.

Предмет изобретения

1. Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия, осуществляемый путем вырезания стержней затравок из кристалла-заготовки, отличаюпд и и с я тем, что, с целью повышения скорости роста кристалла и получения наиболее рациональной (с точки зрения будущего раскроя изделий) формы кристалла, а именно - с сильно развитыми гранями С (ОО) пинакоида, стержни-затравки вырезают параллельно ребру, образованному пересечением грани С{ОО) пипакоида с одной из быстрорастущих граней диэдра.

2. Способ выращивания кристаллов из затравок, полученных по п. 1, отличающийся тем, что затравки располагают на плоском кристаллоносце так, чтобы грань, обладающая наибольшей скоростью роста, была направлена наружу.

Похожие патенты SU101189A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU100988A1
Способ выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101179A1
Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия 1949
  • Штернберг Алексей Александрович
  • Поздняков Петр Григорьевич
SU1089178A1
Способ и устройство для выращивания кристаллов 1947
  • Штернберг А.А.
SU72182A1
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине 1949
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU91033A1
Способ выращивания блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли 1948
  • Поздняков П.Г.
SU78449A1
СПОСОБ РЕГУЛИРОВКИ ЧАСТОТЫ ПЬЕЗОРЕЗОНАТОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ СПОСОБА 1949
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU85490A1
Способ выращивания кристаллов кварца или аметиста или друз аметиста гидротермальным методом температурного перепада в водных растворах фторида аммония 2018
  • Балицкий Владимир Сергеевич
  • Балицкая Людмила Васильевна
  • Балицкий Денис Владимирович
  • Семенченко Сергей Петрович
  • Гуменный Михаил Васильевич
RU2707771C1
Способ выращивания кристаллов 1947
  • Поздняков П.Г.
SU98040A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА 2001
  • Гордиенко Л.А.
  • Дороговин Б.А.
  • Орлов О.М.
  • Полянский Е.В.
  • Цинобер Л.И.
  • Шванский П.П.
RU2186885C1

Иллюстрации к изобретению SU 101 189 A1

Реферат патента 1955 года Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок

Формула изобретения SU 101 189 A1

SU 101 189 A1

Авторы

Поздняков П.Г.

Штернберг А.А.

Даты

1955-01-01Публикация

1952-06-03Подача