Способ записи информации на анизотропные магнитные пленки Советский патент 1976 года по МПК G11C7/00 G11C11/14 

Однако такой способ записи информации не позволяет осуществлять запись и неразрушающее считьтание информащи при одной и той же амплитуде адресного поля, что приводит к невозможности оргаьшзацин накопителя по экономичной системе 2,5 Д (единственно возможным является применение системы 2 Д) и усложняет )Т1равление адресным полем; Кроме того, способ требует больщой a юлитуды адресного поля, что определяет низкое значетляе порогового разрядного поля разрушения из-за поЕьшхенного взаимного В шяния элементов памяти и что приводит к необходимости уменьшения плотности расположения элементов памяти, т. е. к неэкономическому использованию накопителя. Целью изобретения является повышекие эко1 омич1-юсти известнего способа записи. Постав.аенная цель дос1игается путем того, что по пред.гюжешюму способу записи информации на анизотропные магнитные пленки, основанному на воздействии на пленки адресного и разрядного токов, серию импульсов адресного тока перекрывают во времени игуптульсом разрядного тока. Ш чертеже показана временная диаграмма изменеьшя адресного и разрядного токов при записи. При записи вдоль ОТН пленки многократно действует поле Н;ц создаваемое током 1а, а вдоль ОЛН пленки постоянно действует поле Нр. создавае.мое током 1р. При этом поле Нр во времени перекрывает серию импульсов поля Н. В зависимости от записьшаемой информации поле Нр имеет либо положительную, либо отрицательную полярность. При записи информации путем подачи серии импульсов адресного тока, перекрытых во времени импульсом разрядного тока, имеет место процесс сползания границ домеков. Запись нфсрд5гди:н о использованием процесса спо-нан- я граКШ доменов протекает при более низком значэтга поля На в отличие от записи вращзыгем зе -гюра наузигниченности, а зто позволяе-т произБоддгь зг-шсь i неразрушающее считывание икфор -:алдя при одинаковой ам 1Л51туде поля На, Таким образом, предложеш ьш способ записи информации на аиизотроаные /:b-i-i:, :.г;.:;;сн имеет более высокую зконоиЖ нос ь зглпс;; Ес::е;дствие: осуществления записи и 1;ераэрум1ан;:,.сго счктьшания информащш при одной и ток xe и:;ятл.пуде адресного поля, что обеспечивает ьозглоххиость организации накопителя но системе 2,5 Л, (выесто 2 is,). упрощает управления адресным поле;,;; значения амплрттуды порогоЕого разрушеш1Я, что позволяет унел расположения элеменюо а.-,:::Т:;,, номично использовать наксплуель. Способ записи информЕци; магнитные пленки, ocHOj- iiHHbsS , действии « пленки ajipecjioix; ков, отличающийся т;;. вышения экономичксстй, а-р;;;. ного тока пергкрьп;г::ог и с /, разрядного тока. Источники; UpsiflHTi.H LC Si.1изе изобретегжя: 1.Михаиле Г. А- li др Jv;,;::r:u ВЬ 1ШС;1ИТеЛЬНОЙ xevifflKfc- МЬД-; 2.Бардиж В. В. MarjMTUbie вычкслительг ых машин.. изд-jjo стр. 415.