Способ рентгенографического исследования структуры кристаллов Советский патент 1977 года по МПК G01N23/20 

(54) СНОСОВ РЕН СТРУКТУ 1 Изобретение относится к рентгеноструктурному анализу и может применяться при исследовании структурных несовершенств кристаллов. Известен способ исследования структурных несовершенств кристаллов по методу Берга- Баррета, согласно которому на поверхность кристалла под очень малым углом направляют плоский пучок рентгеновских лучей и регистрируют дифрагированные лучи с помощью фотопластинки, расположенной около поверхности образца 1. Однако известный способ не позволяет исследовать послойное распределение несовершенств в кристаллах без их разрушения, кроме того, он очень чувствителен к поверхностным нарушениям. Известен способ послойного исследования структурных несовершенств кристаллов по методу Боррмана, согласно которому направляют рентгеновский пучок над брегговским углом и наблюдают аномальное прохождение пучка через образец 2. Однако при осушествлении этого способа используют очень узкие пучки, следствием чего является недостаточная экспрессность. Цель изобретения - повышение экспрессности ОГРАФИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ РИСТАЛЛОВ 2 приповерхностных монокристаллиисследованияческих слоев. Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что рентгеновский пучок направляют в торец образца под брегговским углом к плоскостям, параллельным поверхности образца, и регистрируют рассеянное излучение, вьппедшее из поверхности образца. Сущность изобретения поясняет чертеж. Пучок рентгеновских лучей 1, ограниченньш щелью 2 до заданной ширины, направляют в торец образца под углом Вульфа-Брэгга к отражающим плоскостям, которые параллельны поверхности образца 3. Отражающее положение образца, которое соответствует выходу дифрагированных лучей 4 из образца 3, проверяют счетчиком излучения с регистрирующим устройством. Рассеянные в направлении дифрагированного пучка лучи 4 регистрируют на фотопластинке 5, которую располагают вблизи от поверхности исследуемого образца 3. На фотопластинке получают топограмму с изображением дефектов структуры, находящихся в слое, параллельном поверхности образца, толщина которого определяется заданной шириной рентгеновского пучка. Области образца, находящиеся вне этого слоя.