Устройство для исследования совершенства структуры кристаллов Советский патент 1977 года по МПК G01N23/22 

Описание патента на изобретение SU543858A1

На чертеже изображена схема устройства для исследования совершенства кристаллов. Устройство содержит кристалл-монохрома тор 1, исследуемый кристалл (кристаял-анализатор) 2, источник рентгеновского излучения 3, коллиматор 4, счетчик излучения 5, главньЕй гониометр 6, механизм 7 совместного поворота источника излучения, коллиматора и к55 исталл-монохроматора, относительно неподвижного центра главного гониометра вакуумную камеру 8, механизм поворота 9 источника рентгеновского излучения 3 относительно оси вращения кристалла-монохроматора 1, механизм Ю линейного смещения главного гониометра в направлении нормали к поверхности кристалла-анализатора, регистрирующую систему для фотоэлектронов и флуоресцентных квантов 11, механизм 12 наклона кристалла-анализатора относительно оси 0-0 , окна вакуумной камеры 8 для вхо да падающих и выхода дифрагированных рент геновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно оси главного гониометра 6. На чертеже обозначено: О - ось вращения кристалл-монохроматор О - ось вращения главного гониометра; О-О - оптическая ось спектрометра; Ь-З - рентгеновские кванты первичного излучения; h) - кванты флуоресцентного излучения; ё - электроны внешней фотоэммиссии. Устройство рабоает следующим образом. Рентгеновские лучи от источника 3 огра- ничиваются по расходимости коллиматором 4, кристалл-монохроматором 1 и падают под углом дифракции Vg для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2, Кристалл расположен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5. Рентгеновское излучение, поглощенное кристаллом, возбуждает фотоэммисию электронов (е) и флуоресцентное излучение (Ил) ) которые выходя из кристалла и регистрируются системой 11 Юстировка прибора осуществляется следующим образом. На оптическую ось О-О , про ходящую через ось главного гониометра О выставляется ось вращения кристалла-монозфоматора О , источник излучения 3, коллиматор 4 и счетчик излучения 5. Механизмом поворота 9 источник излучения 1 псеорачивают на угол 2V относительно оптической оси. Кристалл-монохроматор поворачивается на угол V g так, что дифрагированные им лучи проходят через коллиматор и расщ)Орастраняются вдоль оптической оси спектрометра. Затем с помощью механиз ма 10 смещения главного гониометра 6 механизма 7 ссюместного поворота источника излучения, коллиматора и кристалла-мно- нохроматора и механизма 14 поворота счетчика излучения 5 относительно оси О, оптическую ось соединяют с поверхностью исследуемого кристалла. С помощью механизма поворота 7. дифрагированные лучи направляют под углом Vg на исследуемый кристалл 2. Механизмом поворота 14 счетчик излучения 5 устанавливается под углом Vg относительно оптической оси. Если на поверхности исследуемого кристалла имеется клин, то в эти повороты делаются соответствующие поправки. После этого механизмом наклона 1.2 к механизмом поворота 7 кристалл-анализатор 2 вьшодится в точное брагговское отражение. Во время исследований производят запись или излучение по точкам кривой дифракционного отражения рентгеновских лучей и угловое распределение интенсивности фотоэлектронов или флуоресцентных квантов с помощью счетчика 5 и системы регистрации 11, соответственно. Запись осуществляется плавным вращением луча, отраженного кристаллом-монохроматором 1, с помощью механизма 7 в небольшом угловом интервале вблизи точного значения угла отражения поел еду емого кристалла. При регистрации пространственного распределения исследуемый кристалл устанавливается на выбранной точке кривой дифрак- ционного отражения рентгеновских лучей и производится экспозиция на фотопластинку с помощью соответствующей регистрирующей системы 11, Исследуемый кристалл помещен внутри вакуумной камеры 8, Предусмотрена система для создания и поддержания в нем в процессе измерений вакуума 1 10 торр (на чертеже не показана), В камере имеются окна из вакуумно-плотного бериллия, обеспечивающие падение рентгеновских лучей на кристалл-анализатор и регистрацию отраженного им луча счетчикам. Формула изобретения Устройство для исследования совершенства структуры кристаллов, содержащее источник рентгеновского излучения, двухкристальный спектрометр, состоящий из держателей кристалла-монохроматора и исследуемого кристалла и средств псеорота по крайней мере одного держателя, детектор дифрагированного рентгеновского излучения, ва-

куумную камеру, в которой расположены держатель с исследуемым кристаллом и детектор вторичной эмиссии образца, о т л itчающийся тем, что, с целью упрощения устройства, держатель с кристалломмонохроматором установлен вне вакуумного

объема с возможностью поворота относительно оси, лежащей в плоскости исследуемого кристалла, а источник рентгеновского излучения установлен с возможностью поворота относительно оси поворота кристалла-монохроматора.

Похожие патенты SU543858A1

название год авторы номер документа
Рентгеновский спектрометр 1983
  • Ковьев Эрнест Константинович
  • Миренский Анатолий Вениаминович
  • Семилетов Степан Алексеевич
  • Дейген Михаил Иосифович
SU1141321A1
Рентгеновский трехкристальный спектрометр 1974
  • Ковьев Эрнест Константинович
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Семилетов Степан Алексеевич
  • Имамов Рафик Мамед Оглы
  • Шилин Юрий Николаевич
SU522458A1
Рентгеновский спектрометр 1973
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Миренский Анатолий Вениаминович
  • Пинскер Зиновий Григорьевич
  • Фокин Александр Сергеевич
  • Шилин Юрий Николаевич
SU487338A2
Устройство для исследования совер-шЕНСТВА СТРуКТуРы МОНОКРиСТАлли-чЕСКиХ СлОЕВ 1979
  • Афанасьев Александр Михайлович
  • Болдырев Владимир Петрович
  • Имамов Рафик Мамед-Оглы
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Лобанович Эдуард Францевич
  • Миренский Анатолий Вениаминович
  • Семиошкина Наталья Александровна
  • Смирнов Геннадий Викторович
  • Шилин Юрий Николаевич
SU800836A1
Устройство для исследования структурного совершенства тонких приповерхностных слоев монокристаллов 1983
  • Афанасьев Александр Михайлович
  • Имамов Рафик Мамед
  • Мухамеджанов Энвер Хамзяевич
  • Ле Конг Куи
  • Шилин Юрий Николаевич
  • Челенков Анатолий Васильевич
SU1173278A1
Устройство для рентгеновской топографии 1973
  • Инденбом Владимир Львович
SU478235A1
Рентгеновский спектрометр 1980
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Имамов Рафик Мамед
  • Шилин Юрий Николаевич
  • Миренский Анатолий Вениаминович
SU881592A2
Способ исследования совершенства структуры монокристаллов 1975
  • Батурин Владимир Евстафьевич
  • Имамов Рафик Мамед
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Палапис Вилинис Екабович
  • Семилетов Степан Алексеевич
  • Шилин Юрий Николаевич
SU534677A1
Рентгеновский спектрометр 1979
  • Скупов Владимир Дмитриевич
SU857816A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СОВЕРШЕНСТВА СТРУКТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ 2007
  • Зельцер Игорь Аркадьевич
  • Кукушкин Сергей Александрович
  • Моос Евгений Николаевич
RU2370757C2

Реферат патента 1977 года Устройство для исследования совершенства структуры кристаллов

Формула изобретения SU 543 858 A1

SU 543 858 A1

Авторы

Батурин Владимир Евстафьевич

Имамов Рафик Мамед Оглы

Ковальчук Михаил Валентинович

Ковьев Эрнст Константинович

Миренский Анатолий Вениаминович

Палапис Вилнис Екабович

Семилетов Степан Алексеевич

Шилин Юрий Николаевич

Даты

1977-01-25Публикация

1975-01-27Подача