Позитивный фоторезист Советский патент 1977 года по МПК G03C1/58 

(54) ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ Применяя защитные полимерные маски, сформированные из данного фоторезиста, удается травить германий с использованием травителя HF: 2:1 (объемные части) на глубину до 180 мкм а кремний с использованием травителя HNOj : HF: ICHjCOOH 10 : 1 : 1 (объемные часш) на глубину до 200 мкм. Формула изобретения Позитивный фоторезист, включающий производное нафтохинондиазида, пленкообразующую компоненту, фенолформальдегидные смолы - идитол и резол-метилэтилкетон, диметилформамиди диоксан, отличающийся тем, что, с делью повышения химической стойкости фоторезиста, в качестве пленкообразующей компоненты он содержит фторопласт при следующем соотношении компонентов, вес. %: Производное нафтохинондиазида10,4-15,0 Фторопласт0,03-0,08 Фенолформальдегидная смола (идитол) 13,0-17,0 Резол6,0-9,0 Метилэтилкетон2,4-5,0 Диметилформамид5,0-15,0 ДиоксанОстальное. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе: 1. Мазель Б. 3., Пресс Ф. П., Планарная технология кремниевых приборов, М., Энергия, стр.90 1974, (прототип).