Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава Советский патент 1977 года по МПК B01J17/18 G05D27/00 

3

метр колебаний тела связан с величиной расстояния между телом и границей раздела фаз калибровочной зависимостью, полученной предварительно для данного расплава и данного тела.

На фиг. 2 кривые Изображают полученные зависимости амплитуды колебаний диска от расстояния между диском и границей в различиых жидкостях и расплавах.

Кривая 9 - инородная граница (металл, стекло, керамика) в воде ири 20° С, кривая 10 - та же граница в глицеринге при 20° С, кривая И - граница поликристалл - расплав тимола, кривая 12 - граница монокристалл - расплав иттрий алюминиевого граната (температура плавления 1970°С).

Формула изобретения

1. Способ контроля процесса выращивания монокристаллов из расплава мето4

дом направлениой кристаллизации путем использования зависимости гидродинамического сопротивления колебательному движению твердого тела в расплаве от расстояния между телом и границей раздела кристалл - расплав, отличающийся тем, что, с целью непрерывного контролирования положения границы раздела кристалл - расплав, твердое тело помещают

в расплав, сообщают ему колебательное движение, контролируют положение границы раздела кристалл - расплав цутем определения положения тела и измерения сщного из параметров, характеризующего

его колебания, например его амплитуду, и зависящего от расстояния между телом и границей.

Истоган-ик информации, принятый во Взимание при экспертизе:

1. Авторское свидетельство

СССР № 272286, кл. В 01 J 17Л8, 1968.

5

Расстояние, мм

Фиг. 2