Способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ Советский патент 1983 года по МПК H01L21/22 

ел ел

оь со

00 Изобретение-относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности датчиков мощности СВЧ. Известен способ изготовления датчиков импульсной мощности путем вплавления сплава из различных металлов в полупроводниковые пластин и . Показания изготовленных этим спо собом датчиков импульсной мощности в большой степени зависят от температуры окружающей среды, Известен также способ изготовления датчиков импульсной мощности СВЧ путем вплавления Металлического сплава в приконтактную область крем ниевой пластины электронного типа проводимости 2, Недостатком изготовленных этим способом датчиков импульсной мощнос ти СВЧ является изменение их показаний в интервале температур т -(50-бО°С) до 6%. Это объясняется тем, что контакт к кремниевой пластине создается вплавлением сплава золота с примесью сурьмы, а диффузия примеси с глубокими уровнями в запрещенной зоне ведется из спла.ва. Для получения необходимой кон-центрации примеси типа золота в кре ниевой пластине сплав золото - сурь ма необходимо нагревать до высоких температур, при которых происходит частичное испарение атомов сурьмы из спл&ва, и в результате состав сплава в процессе изготовления дат ка становится переменным и концент рация атомов сурьмы в нем - неконтрот лируемой. Целью изобретения является уменьшение зависимости показаний датчиков от температуры окружающей среды. Цель достигается тем., что в при контактную область пластины вводят серебро, например, диффузией, затем поверхность пластины травят в смеси кислот HF 33% и НйО 67%, после чего в область пластины, содержащую серебро, вплавляют сплав,%:Sn 65;%, РЪ 34% и ЗЪ 1%. Пример. Полупроводниковый чувствительный элемент выполнен из монокристалла кремния электронного типа проводимости с удельным сопротивлением 200 Ом см при комнатной температуре. На приконтактную область элемента наносят вакуумным испарением слой серебра 0,6 мк, затем элемент прог)ревают в течение 7ч при 1200С в парах аргона, В результате этого в приконтактную область вводится глубокая примесь серебра концентрацией 5,0-Ю см . Затем следует обработка в травителе и, наконец, при 750°С вплавляют контакты, содержащие,%: Sn 65%, Pb 34%, Sb 1%. Датчики импульсной мощности СВЧ, изготовленные предложенньюл способом, работают более стабильно, чем известные. Их показывания в интервале температур Т - 60-60 0) незначительно зависят от температуры окружающей среды.

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКОВ ИМПУЛЬСНОЙ МОЩНОСТИ СВЧ, путем вплавления металлического сплава в приконтактную область кремниевой пластины электронного типа проводимости , отличающийся тем, что, с целью уменьшения зависимости показаний датчиков от температуры окружающей среды, в приконтактную область пластины вводят серебро, например, диффузией, затем поверхность пластины травят в сме- . си 33% HF и 67% HNO^, после чего в область пластины, содержащую се- . ребро., вплавляют сплав,%: Sn 65%, Pb 34% и Sb 1%.