НЕЙРИСТОР Советский патент 2018 года по МПК H04N5/30

Похожие патенты SU563100A1

название	год	авторы	номер документа
КОММУТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО	1978	Гурин Н.Т.	SU719466A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т.	SU694006A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т. Ямлеев М.А.	SU738487A1
НЕЙРИСТОР	1978	Гурин Н.Т.	SU747389A1
Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства	1977	Овчаренко Валерий Иванович Кассихин Александр Алексеевич	SU734807A1
МАСШТАБИРУЕМОЕ УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ ДАННЫХ	1999	Гудесен Ханс Гуде Нордаль Пер-Эрик Лейстад Гейрр И. Берггрен Рольф Магнус Карльссон Йохан Рогер Аксель Густафссон Бенгт Йеран	RU2201639C1
ФОТОННЫЙ МАТРИЧНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ	2011	Перепелицын Юрий Николаевич Пылаев Юрий Константинович	RU2490680C2
Модулятор света	1982	Гущо Юрий Петрович Гаврилов Вячеслав Николаевич Мягков Александр Александрович Сперанский Олег Алексеевич	SU1041978A1
ИНТЕГРИРОВАННЫЕ ТРАНЗИСТОРНО-ЗАПОМИНАЮЩИЕ СТРУКТУРЫ И МАССИВ ПОДОБНЫХ СТРУКТУР С МАТРИЧНОЙ АДРЕСАЦИЕЙ	2002	Гудесен Ханс Гуде	RU2287205C2
Мощный полевой транзистор СВЧ на полупроводниковой гетероструктуре на основе нитрида галлия	2021	Рогачев Илья Александрович Красник Валерий Анатольевич Курочка Александр Сергеевич Богданов Сергей Александрович	RU2782307C1

Формула изобретения SU 563 100 A1

Нейристор, содержащий два проводящих электрода, между которыми последовательно расположены резистивный слой, основные матричные электроды и полупроводниковый слой с S-образной характеристикой, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства, в полупроводниковый слой с S-образной характеристикой введены дополнительные матричные электроды, смещенные относительно основных матричных электродов.

SU 563 100 A1

Авторы

Гурин Н.Т.

Золотарев В.Ф.

Даты

2018-07-31—Публикация

1973-11-16—Подача