НЕЙРИСТОР Советский патент 2018 года по МПК H04N5/30

Похожие патенты SU738487A1

название	год	авторы	номер документа
НЕЙРИСТОР	1973	Гурин Н.Т. Золотарев В.Ф.	SU563100A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т.	SU694005A1
БИБЛИОТЕКА IНЕЙРИСТОР	1970		SU285114A1
НЕЙРИСТОР	1977	Гурин Н.Т.	SU694006A1
НЕЙРИСТОР	1978	Гурин Н.Т.	SU749352A1
КОММУТИРУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО	1978	Гурин Н.Т.	SU719466A1
НЕЙРИСТОР	1978	Гурин Н.Т.	SU747389A1
Полупроводниковый прибор	1971	Кот А.Б. Юрлова Г.А.	SU398160A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЯ ПРОЗРАЧНОГО ПРОВОДЯЩЕГО ОКСИДА НА СТЕКЛЯННОЙ ПОДЛОЖКЕ	2012	Абрамов Алексей Станиславович Андроников Дмитрий Александрович Бобыль Александр Васильевич Семерухин Михаил Юрьевич Солдатенков Федор Юрьевич Терукова Екатерина Евгеньевна Теруков Евгений Иванович	RU2505888C1
ВЕРТИКАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР	2009	Семенов Анатолий Васильевич Хан Александр Владимирович Хан Владимир Александрович	RU2402105C1

Формула изобретения SU 738 487 A1

Нейристор, содержащий два проводящих электрода, между которыми последовательно расположены резистивный слой, матричные электроды, полупроводниковый слой с S-образной характеристикой, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, между полупроводниковым слоем с S-образной характеристикой и проводящим электродом размещены последовательно два полупроводниковых слоя различных типов проводимости.

SU 738 487 A1

Авторы

Гурин Н.Т.

Ямлеев М.А.

Даты

2018-07-31—Публикация

1977-09-11—Подача