Способ фотоочувствления полупроводниковых пленок Советский патент 1977 года по МПК G03G13/00 

1

Изобретение относится к технике изготовления тонкопленочных фоторезисторов, применяемых в устройствах электроники, автоматики и телемеханики, в частности к электрографическим способам.

Известен снособ фотоочувствления полупроводниковых пленок, нанесенных на диэлектрические подложки, путем введения в них очувствляющих веществ, например солей меди и кадмия, и термической обраоотки 1.

Основной недостаток известного способа фотоочувствления заключается в том, что для изменения количества вводимых в полупроводниковую пленку очувствляющих веществ необходимо изменять содержание этих примесей во всем объеме вещества, находящегося в реакторе.

Кроме того, известный способ фотоочувствЛения требует применения термообработки при высокой температуре, при которой происходит диффузия в пленку неконтролируемых примесей из подложки, ухудщающих качество фотоочувствления.

Целью изобретения является улучшение качества фотоочувствления.

Это достигается тем, что введение очувствляющих веществ осуществляют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением, при этом температура термической обработки составляет 200°-400°С.

Таким образом, введение очувствляющих веществ с их термической обраОоткой осуществляют в атмосфере, содержащей тазоооразные галоиды серебра и меди, лиОо путем напыления очувствляющих веществ из водных раствором, либо вакуумным напылением, после чего производят термическую ооработку в инертной атмосфере при температуре 200- .

Например, в случае, фотоочувствления пленок из соединении на их поверхность наносят смесь солей меди и кадмия, содержащую в своем составе связанные медь и кадмий в пропорции от 1 ;20 до 1:200, в количестве 1-а% массы пленки.

Способ может быть реализован следующим образом.

Пленки полупроводника наносят термическим испарением CdS или CdSe или их смеси в вакууме на стекло, предварительно покрытое проводящим слоем двуокиси олова. Толщину пленок полупроводника выбирают 1 - 20 мк, Температуру подложек при напылении доводят до ШО-2UO°C. После этого проводят очувствление пленок одним из двух способов. 1. Подложку с пленкой полупроводника нагревают до температуры 120-140 С и пульверизуют водным растворОхМ солей CdC и СиСЬ, содержащих CdCb 107о, СиСЬ от 0,1 до 1%. Пульверизацию продолжают 1-5 сек

в зависимости от толщины пленки и ее начальной температуры. Это делается для создания на поверхности пленки слоя лигатур.ы и быстрого испарения воды, разрушающе действующей на холодную пленку. После нанесения лигатуры проводится первый отжиг в течение нескольких минут, затем остаток лигатуры удаляется спиртом и проводится второй отжиг. Оба отжига проводятся в атмосфере инертного газа {Аг, Не) или на воздухе при температуре 280-300°С.

2. После напыления полупроводниковой пленки и остывания подложки до комнатной температуры на поверхность пленки в вакууме напыляется слой лигатуры (смесь солей CdCU и СиСЬ) из кварцевого тигля при медленном нагреве. Навеска смеси солей берется из расчета, чтобы на поверхности полупроводника образовался слой лигатуры, содержащий 0,01-0,05% СиСЬ и 1-8% CdCb. После этого проводится отжиг пленки в инертном газе или на воздуха при температуре 280°-300° в течение 1-2 час.

Во всех случаях изготовленные при отжиге в инертной атмосфере резисторы получают темновое сопротивление 5-10 ом и световое сопротивление 5-10 см. При очувствлении отжигом на воздухе получаются рези-сторы с темновым сопротивлением 10 ом, а световым 5-10 при освещенности 100лк.

Предмет изобретения

Способ фотоочувствления полупроводниковых пленок путем введения в них очувствляющих веществ, например солей меди и кадмия, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества фотоочувствления, введекие .очувствляющих веществ осуществляют напылением их из водных растворов или вакуумным напылением, при этом температура термической обработки составляет 200- 400С°.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе1. Патент ФРГ № 1597840, кл. 57е 5/08, 1971.