Изобретение относится к стеклам с низким коэффициентом термического расширения, способным образовывать тонкие пленки на кремнии и других полупроводниковых материалах, испол зуемых в радиоэлектронной и радиотехнической промышленности.. Известно стекло, включающее SiOj 49-51; АЕ, 23-25; Ма-0-3,54,5; ZnO-$-lO,; СаО 7-8; В, О. 55,5; Со0; ,2,5-3, 5,; l . Указанное стекло не обладает достаточно низким коэффициентом тер мического расширения и не способно образовывать тонких пленок при распылении в вакууме. Цель изобретения - понижение коэф циента термического расьчирения стекл и получение из него тонких пленок н кремнии при термическом распылении в вакууме. Это достигается тем, что стекло имеет следующий состав (по синтезу), Бес.%: SiO - 35-60; - 5-25; Mg-0 - 5-l1; Zli О - 1526; СаО - 0,5-6; SrO- 0,5-6; ВсхО 0,5-6. Стекло варят в электрической печи в корундовых тиглях при ьиксимальных температурах - 1340-1450 0. Стекла размалывают в шаровой мельнице и полученные после рассева фракции порошка стекла 200-300 мкм и ниже 63 мкм используют для нанесени на деталь методом вакуумного термического распыления и методом плазменного напыления. Пример iqpcTaBOB стекол приведен в табл. 1. Таблица 1
Физико-химические свойства составов стекол приведены в таблице 2, Таблица 2
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Стекло | 1989 |
|
SU1655923A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНОГО ПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ | 1991 |
|
RU2008750C1 |
Стекло для ионноплазменного напыления тонких пленок на ферритовые подложки | 1990 |
|
SU1828455A3 |
Стекло для защитных тонкопленочных покрытий | 1990 |
|
SU1730063A1 |
СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ОСНОВЕ ЭЛЕМЕНТОВ II-VI ГРУПП | 2013 |
|
RU2639605C2 |
Стекло для получения тонкопленочных покрытий | 1988 |
|
SU1520029A1 |
Способ изготовления шаблона | 1982 |
|
SU1064352A1 |
Способ нанесения нанопленочного покрытия на подложку | 2018 |
|
RU2681587C1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКИХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК КРЕМНИЯ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ | 2006 |
|
RU2333567C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ | 2006 |
|
RU2410341C2 |
Полученные стекла имеют ряд преимуществ по сргшнению с известньми. Они обладают малыми коэффициентами термического расширения. Благодаря отсутствию окиси бора и щелочных окислов они способны сохранять свой при те1 1ИЧесксм распылении в вакууме и даже- 11ри плазменном напылении и давать также пленочные покры тия на кремнии и других полупроводниковых материалах. Стекла являются бес1целочньа«и и имеют высокие диэлектрические свойства и хорошую химическую устойчивость к воде.
изобретения
..
Стекло включающее SiO Mg-Q ,ZnO , Со О, отличающее
с я тем/ что, с целью понижения коэффициента термического расширения и получения пленочного покрытия на полупроводниковых материалах, преимущественно на кремнии, оно дополнительно содержит 5рО и ВаО при следующем соотношении между компонентами, вес.%:
35-60
SiO,
Ае,о, 5-25
Mg-O 5-17 2пО 15-26 Со О 0,5-6 SfO 0,5-6 ЬаО 0,5-6
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:
Авторы
Даты
1977-11-05—Публикация
1976-06-07—Подача