Способ получения фотографического изображения в далекой инфракрасной области спектра Советский патент 1979 года по МПК G03C1/72 

(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ 1ЮТОГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ДАЛЕКОЙ ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА интенсивному вуалеобразованию при последующем проявлении; б} проявление начинается с момента экспонирования, поэтому чувствительность занисит от продолжительнос ти экспонирования. При экспонировании полупроводников типа PbS, PbSe, SbSJ в растворе AgNO идет реакция образования Ад„8 или на поверхности полу проводника, в результате чего светочувствительность изменяется во время самого экспонирования. Отсутствие стадии удаления адсорбирования ионов серебра после экспонирования в растворе ионов Ад приводит к интенсив ному вуалеобразованию. В результате физического проявления образуется серебряное изображение на черном непрозрачном или полупрозрачном фоне полупроводникового слоя, поскольку авторы не предлагают способа удаления полупроводника при одновременном сохранении изображения то есть способа фиксирования слоя. Цель изобретения - повьлиение воспроизводимости процесса, чувствитель ности фотоматериала, качества изобра жения, а также упрощение технологии изготовления материала. Поставленная цепь достигается пре лагаемым способом получения фотогра фического изображения в далекой инфракрасной области спектра,заключа щимся в нанесении на подложку (стекло, триацетатная основа, лавсановая основа) не менее одного эмульсионног слоя, содержащего в качестве светочувствительного вещества суспензию халькогенидов (или смеси халькогенидов) металлов (, AggSe, AgTe, PbS, PbSe, HgS, HgSe и др.), обладающих фотоэлектрической чувстви тельностью в зоне ,3 мкм, а в качестве связующего вещества - гидро фильные пленкообразующие полимеры (желатина, поливиниловый спирт и др. экспонировании материала в растворах комплексов (меди, серебра, ртути, палладия и др.) с аддендами восстано вительного типа, промывке в антивуал рующем растворе, проявлении в стабил ном физическом проявителе и фиксировании материала с помощью сильных комплексообразователей для ионов, вх дящих в состав халькогенида металла. Эмульсию халькогенидов металлов в полимере получают взаимодействием между комплексами металлов с комплек сообразователями, содержащими атом халькогена, и неорганическими основа ниями. Эмульсия может быть также получена диспергированием в желатине или другом гидрофильном пленкообр зующем полимере халькогенидов металлов. Полученная описанными способами эмульсия позволяет получить одно1оодный и воспроизводимый по свойствам материал, лишенный недостатков, перечисленных выше. Экспонирование материала должно проводиться в стабильном растворе, содержащем ионы металла (как правило, благородного), из которых образуется скрытое изображение, и восстановитель, служащий для акцептирования положительных дырок. Стабильный раствор, содержащий одновременно сильный окислитель - ионы благородного металла и сильный восстановитель - акцептор дырок, был получен на основе комплексов металлов с аддендами восстановительного типа (, N02 / и др.) . Целью операции промывки в антивуалирующем растворе является удаление ионов металла, адсорбированных на полупроводнике из раствора для экспонирования,или связывание этих ионов в труднорастворимые соли, что позволяет проверсти последующее проявление без вуали. Проявление проводят в растворе стабильного физического проявителя, содержащего в качестве восстановителя органические вещества (метанол, гидрохинон, аскорбиновая кислота и др.) или неорганические вещества (, гидразин, гидроксила- . мин, NaHgPOg и др.). В качестве ионов металла, образующего изображение, используют ионы , Со, Си, Ag , Hg и др.).. В основе фиксирования слоев из халькогенидов металлов лежит реакция комплексообразования с ионами, входящими в состав халькогенида металла. Сильными комплексообразователями для ионов благородных металлов являются цианид-ионы и тиомоче.вина, а для халькогенид-ионов - концентрированные растворы солей ряда металлов (Ад NO, Hg(CHgCOO) , Ng(N04)2 и др.) . В результате фиксирования получают непрозрачное металлическое изображение на прозрачном фоне. Пример 1. На подслоированную триацетатную основу наносят слой суспензии AggS в желатине. Нанос составляет 10-40 г/м, размер микрокристаллов 0,1-1,0 мкм. Слой дубят купанием в 0,5%-ном растворе формалина в течение 10 мин при и сушат. Материал пропитывают раствором сульфитного или нитритного комплексов серебра следующего состава, г: Вода (бидистиллят), мл до 100 0,85 3,5 Вода (бидистиллят), мл до 100 Материал экспонируют во влажном состоянии в далекой инфракрасной области спектра. После экспонирования материал промывают 15 мин в дис тиллированной воде, а затем 15 мин в антивуалиругощей ванне - 0,1 и.рас воре или 0,01 и. растворе KJ. Далее материал проявляют в стабильном во времени физическом проявителе, который содержитS Раствор А. Вода бидистиллят (20°С), мл 50 Лимонная кислота, г 1,93 Ге(ЫОз)з , г3,22 (NH)2 4 2° (Соль Мора), г7,84 Раствор Б. Вода бидистиллят (-20°С) ,мл 20 Додециламин уксуснокислый, г0,02 Лиссапол N, г 0,02 Раствор В, Вода бидистиллят (20с) ,мл 15 AgNO,,г0,85 В раствор А при энергичном перемешивании вливают раствор Б, а затем раствор В, Объем проявителя доводят водой (бидистиллят) до 100 мл. Применяют реактивы квалификации х.ч. или ч.д.а, рн проявителя около 1,3. Продолжительность проявления при 20°С 4-8 мин, После проявления материал промывают 15 мин и последовательно фиксируют в двух ваннах. Первая ванна для фиксирования имеет состав, г: нее36,5 Тиомочевина 100 Вода, лдо 1 Время фиксирования в зависимости от насоса AggS составляет 2-4 мин. Вторая ванна для фиксирования представляет собой 10%-ный раствор тиомочевины в воде. Время обработки 2-3 мин при . Затем следует 15-минутная промывка в дистиллирова ной воде и сушка. Область спектральной чувствительности материала 0,4-1,4 мкм. Чувстви 68 тельность фотоматериала в зоне излучения 1,3 мкм равна 310Дж/см при плотности изображения ,0. Разрешающая способность 40 линий/мм. Пример 2. На подслоированную триацетатную основу наносят слой суспензии микрокристаллов - Ag-Se в желатине. Состав смешанных микрокристаллов - AgjSe, в вес.%: Ад S 9, Ад Se 10, размер микрокристаллов 0,1-0,3 мкм. Последующие операции экспонирования, промывки в антивуалирующем растворе, проявления и фиксирования аналогичны описанным в примере 1. Чувствительность фотоматериалов в зоне излучения 1,3 мкм равна Дж/см при плотности изображения ,0. Разрешающая способность 30 40 линий/мм. Формула изобретения Способ получения фотографического изображения в далекой инфракрасной области спектра путем экспонирования в растворе и проявления, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости процесса, чувствительности материала и качества изображения, а также упрощения технологии производства, фотоматериал, полученный нанесением на подложку не менее одного эмульсионного слоя, содержащего в качестве светочувствительного вещества суспензию халькогенидов или смесь халькогенидов металлов , обладающих фотоэлектрической чувствительностью в зоне излучения Д,1,3 мкм, а в качестве связующего- гидрофильные пленкообразующие полимеры, экспонируют в растворе комплексов металлов с аддентами восстанов тельного типа, промывают в антивуалирующем растворе, проявляют в стабильном физическом проявителе и фиксируют с помощью комплексообразователей для ионов, входящих в состав халькогенидов металлов.