Негативный фоторезист Советский патент 1978 года по МПК G03C1/52 

1,5 мкм при создании интегральных схем и фотошаблонов.

В табл. I приведено молекулярпо-вссовое раснрсделеппс триэфира 1,2-нафто.1пгоидиазнд(2)-5-сульфокпслотьт (ТНСК) л фсполформальдегпдпой смолы (ФФС).

Т а б .4II д а 1

Для получения негативного фоторезиста готовят смеси 1--3. Состав приведен в табл. 2.

Ка/кдый раствор методом це11триф тирова ия наносят на нодложк . После даления термообработкой растворителя фотослой облучают 8 с через фотошаблон УФ-светом лампы ДРШ-250 иа расстоянии 270 мм. Полученное изображение проявляют смесью диоксанциклогексаиои {1;1). Толщина фотослоя на окиси кремння составляет 1,0; 0,7; 0,8 мкм соответственно, а коэффнциент коитрастиости 12,10 и 20 OTit. ед. Разреичающая способность после травления сохраняется. Уходы геометрических размеров составляет 0,8 для 1-й смеси и 0,6 мкм для 2-й и 3-й смесей.

Микродефектноеть, определяемая методом электрографии, составляет 10,12 и 15 дефектов на 1 см. В табл. 3 приведены фототехнические свойства фоторезиста на восироизводимость и стабильность во времени.

а б л и ц а 2

Молекулярио-весовое распределение см. в табл. 1.

Таблица 3 5 Формула изобретения Негативный фоторезист, включающий светочувствительную компоненту, эпоксидную смолу и органический растворитель, отлича-5 ющийся тем, что, с целью повышения коптрастности и стабильности во времени, он содержит в качестве светочувствительной комионенты эфир 1,2-нафтохинопдиазид-(2)-5сульфокислоты и фенолформальдегидной смо-Ю лы новолачного типа с соотношением мол. веса, вес. %: 120040-50 950 8-10 400-800 Остальное15 6 при следующем соотношении компонентов, вес. %: Эфир 1,2-нафтохннондиазид(2)-5-сульфокислоты и фенолформальдегидной смолы новолачного типа 16-24 Эпоксидная смола 2-8 Органический растворитель Остальное Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 433868, кл. G ОЗС 1/52, 1972.