Высокочастотный плазматрон Советский патент 1981 года по МПК H05H1/24 

Описание патента на изобретение SU596125A1

на внутренней поверхности камеры. На верхнем торце камеры размещен патрубок 3 подачи газа и обрг,батываемых дисперсных материалов. Нижний торзц камеры помещен в стакан 4, предназначенный для сбора жидкости, которая оводится патрубком 5. Обрабатываемые вещества выводятся через патрубок б. В камере создается емкостный разряд с помощью двух вне111них электродов 7, подсоединенных к ВЧ-генератору.

Второй возможный вариант предлагамого устройства (см. фиг. 2) отличается от первого варианта тем, что поток жидкости создается одним кольцевым соплом, угол f в этом случае равен 0. Жидкость также подается вдоль внутренней поверхности камеры. Нижней своей частью камера состыкована со стаканом (либо он образован стенками камеры и пробкой, сквозь которую проходит патрубок 6).

Работает предлагаемое устройство следу ощим образом.

Газ с порошкообразным материалом вводится по оси камеры через патрубок 3. Частицы материала, нагреваясь в зоне разряда, выходят через патрубок 6. Те дисперсные частицы, которые вследствие различных причин движутся к стенке камеры, неизбежно попадут в слой жидкости и будут унесены из камеры. Выйти же через патрубок 6 смогут лишь те частицы, которые двигались вдоль оси камеры через зону разряда. Таким образом, в выходном продукте будут присутствовать лишь хорошо обработанные частицы, за счет чего будет обеспечена высокая однородность обработанных в плазмотроне дисперсных материалов. Частицы, унесенные потоком жидкости могут быть собраны фильтром и использованы повторно. Помимо описанного эффекта в этой конструкции достгается хорошая защита стенок разрядной камеры от оседания оплавленных

в разряде частиц; тем самым устраняется шунтирование разряда, происходящее при оседании на стенках металли- ческих порошков, устраняется закупорка камер диэлектрическими порошка и, , следовательно, увеличивается ресурс плазмотрона.

Для ввода в разрядную камеру могут использоваться различные жидкости. При обработке в разряде окислов с успехом может использоваться вода. Если наличие в камере окислителя недопустимо, можно использовать углеводороды, альде иды, спирты (бензин, ацетон, спирт и т. д.), диэлектрические потери в которых невелики.

Проведенные испытания показали, что предложенная конструкция в 4-6 раз уменьшает количество необработын0 ных в разряде дисперсных материалов в выходном продукте.

Формула изобретения

Высокочастотный плазмотрон, содержащий разрядную камеру с патрубками для подачи в нее рабочего газа и обрабатываемых дисперсных материалов и выводным патрубком, устройство для возбуждения в камере разряда, отличающийся тем, .что, с целью повышения степени однородности обработки частиц дисперсного материала, попадающего в выводной патрубок, разрядная камера снабжена по крайней мере одним соплом для подачи жидкости в камеру, которое расположено у одного из торцов камеры и ось которого образует

0 острый угол с тангенциальным направлением к внутренней поверхности камеры в месте расположения сопла, и патрубком для отвода жидкости, расположенным у второго торца камеры.

(PUSJ

(Риг г

Похожие патенты SU596125A1

название год авторы номер документа
СВЧ-ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНЫХ МАТЕРИАЛОВ 1989
  • Чебаньков Н.И.
RU1618261C
Разрядная камера вче плазмотрона 1978
  • Гончар Николай Иванович
  • Звягинцев Александр Васильевич
  • Митин Роман Владимирович
SU739756A1
Устройство для плазменной обработки порошковых материалов 1979
  • Гончар Н.И.
  • Звягинцев А.В.
  • Митин Р.В.
SU810054A1
ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ НАПЫЛЕНИЯ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ТУГОПЛАВКИХ МАТЕРИАЛОВ 1992
  • Галанцев Г.П.
  • Коваленко Г.Д.
  • Тропин Ю.Д.
  • Нагибин Г.Е.
RU2039613C1
СПОСОБ ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКОГО ПОЛУЧЕНИЯ И ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ И ПОКРЫТИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2008
  • Артамонов Александр Сергеевич
  • Артамонов Евгений Александрович
RU2402630C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1994
  • Абдуллин И.Ш.
  • Кульмамедов Р.Р.
  • Гафаров И.Г.
  • Закиров А.М.
RU2079568C1
СВЧ-ПЛАЗМОТРОН ЦИКЛОННОГО ТИПА 1994
  • Дроков В.Г.
  • Казмиров А.Д.
  • Алхимов А.Б.
RU2082284C1
Высокочастотный факельный плазмотрон, для нагрева дисперсного материала 1983
  • Теплоухов В.Л.
SU1094569A1
СВЧ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЙ РЕАКТОР 2004
  • Лысов Георгий Васильевич
  • Леонтьев Игорь Анатольевич
  • Николаев Андрей Анатольевич
  • Черномырдин Виталий Викторович
  • Клямко Андрей Станиславович
RU2270536C9
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ИНДУКЦИОННЫЙ ПЛАЗМОТРОН 2001
  • Мазин В.И.
RU2233563C2

Иллюстрации к изобретению SU 596 125 A1

Реферат патента 1981 года Высокочастотный плазматрон

Формула изобретения SU 596 125 A1

SU 596 125 A1

Авторы

Гончар Н.И.

Звягинцев А.В.

Митин Р.В.

Даты

1981-01-30Публикация

1976-06-28Подача