Разрядная камера вче плазмотрона Советский патент 1980 года по МПК H05B7/18 

Описание патента на изобретение SU739756A1

..- Изобретение относится к электротехнике, в частиорти к генераторам низкотемпературной пдазмы, кс торые используются для обработки дисперсных материалов,. Известна, высркочастотноГб емк дтндго (ЭЧЁ) пл93|матррнг),, охваченная Kpj;tiiesi iMH зл тродами юде ймединеннымн t вырркрчастотному reHepairdpy. На ciflHQiti тор-г це камеры, лод острым углом к ее внутренней поверхности, установлен по крайней мере один -патрубок подачи жидкости, на щ)угом торце камеры - патрубок отвода жидкости. Такая конструкция позволяет значительно: увеличить однородность обработанного дисперсного материала благодаря тому, что в выходной патрубок попадают лишь дисперсные частицы, прошедшие сковозь зону разряда 1. Известна также разрядная камера ВЧЕ плазматрона для обработки дисперсного материала, содержащая патрубки ввода и вывода плазмообразунУшего газа и материала, установленные в торцовых крышках камеры, и штуцеры ввод и вьюода транспортируиппего газа, присоединен ные тангенцигшьно к стенке камеры 21. Недостатком известной разрядной камеры является то, что часть обрабатываемого дисперсного материала проходит вдоль стенок камеры мимо з0нь1 разряда. При зтом обработанный и необработанный диЬперсный материал поступает в общий сборник, что снижает качество получаемого; -материала. Целью изобретения является повышение .качества Получаемого материала путем умень.цкния содер;кания в нем необработанного материала.- , - . -. л. , . 11оставленная цел достигается тем, что патрубок, вьтода заглублен в камеру и образует с е/стеиками кольцевую полость,штуцер вы- вода размещен в зоне кольцевой полости, а штуцер ввода установлен встречно штуцеру вывода и выше него по-ходу подачи мате1«ала. На фиг. 1 изображена разрядная камера ВЧЕ плазматрона; на фиг. 2 - разрез камеры по штуцеру ввода транспортирующего наза. разрядная камера 1 с патрубками подачи 2 и вывода 3 плазмообразующего газа и дисперсного материала охвачена кольцевыми электродами 4, подключенными к ВЧ генератору 5. Патрубок вьгеода 3 углублен внутрь камсфы 1 и закреплер. Образованная внутренней поверхностью камеры I и патрубком 3 глухая кольцевая щель 6 С1габжена двумя игтуцерами 7 и 8 подачи транспортирующего газа и вьгаода его вместе с необработанным дисперсным материалом. Штуцеры 7 и 8 располагают по касательной к внутренней поверхности камеры 1 на разных уровнях и во встречных направлениях. Штуцер вывода транспортирующего газа расположен ниже шту цера подачи по ходу движения рабочего газа и обрабатываемых частиц. Камера работает следующим образом. Плазмообразующий газ и обрабатываемые дисперсньте частицы подаются через патрубок 2 в зону емкостного .разряда, создаваемого внещними электродами 4. Частицы, прошедши через одну зону разряда, попадают в патрубо 3- Те частицы, которые вследствие расширения потока рабочего газа, выходящего из патрубка 2, движутся вдоль стенки разрядной камеры, остаются либо необработанными, либо обработанными в меньшей степени, чем частицы движущиеся через разряд. Эти частиць попада ют в глухую кольцевую шель 6 и выносятся в штуцер 8 потоком транспортирующего газа, который подается в штуцер 7, Таким образом в патрубок 3 попадают лишь хорошо обработакные частицы, прошедшие всю зону разря Этим достигается высокая степень однороддастИ получаемого дисперсного материала. Рабочий и транспортирующий газы могут быть различными, либо может использоваться один и тот же газ .При этой может быть подобрана газовая среда с восстановительными, окислительными, нейтральными и другими свойствами по отноргению к обрабатываемому материалу. При использовании чистых газов может быть достигнута высокая степень чистбть. получаемого дисперсного материала. Располо: жециё штуцеров транспортирующего газа по касательной к внутренней поверхности камеры во встречных направлениях на разных уровнях по ходу движения частиц способствует созданию в щели 6 винтового поступательного . - 4 движения газа, эффектгшиозахватывающего и выводящего необработанные, дисперсные частицы. . -: , .,: ,ях;. Для транспортировки частиц, попавших в кольцевую щель 6, может быть использована жидкость, если по условиям технологического процесса в камере допустимо наличие, ее парбВ. Описанная конструкция позволяет обрабатьюать более ишрокий класс веществ, в том числе активных и требующих особо чистых условий обработки. Это объясняется возможностью создания и поддержания газовой атмосферы строго контролируемого состава в -рабочей камере. Кроме того, повышено качество получаемого материала благодаря тому, что в нем схэдержится в 5-6 раз меньще необработанных частиц, чем при использовании известных конструкций. Формула изобретения Разрядная камера ВЧЕ плазматрона для обработки дисперсного материала, содержащая патрубки ввода и -вьшода плазмообразующего газа и материала, установленные в торцовых крьщках камеры, h штуцеры ввода и вьшода транспортируюи го газа, просоединенные тангенциально к стенке камеры, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества материала путем уменьшения содержа1ШЯ в нем необработанного материала, патрубок вьгоода заглублен в камеру и образует с ее стенками кольцевую Полость, штуцер вывода размешен в зоне кольцевой полости, а цгг)цер ввода установлен встречно штуцеру вьшода и вьпле него по ходу подачи материала. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 596125, кл. Н 05 В 7/18, 28.06.1976. 2.Авторское свидетельство СССР № 544348, кл. Н 05 В 7/18, 28.09.1976 (прототип).

Х-/4

Похожие патенты SU739756A1

название год авторы номер документа
Устройство для плазменной обработки порошковых материалов 1979
  • Гончар Н.И.
  • Звягинцев А.В.
  • Митин Р.В.
SU810054A1
ПЛАЗМАТРОН 2003
  • Суслов В.И.
RU2225084C1
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЕМКОСТНЫЙ ПЛАЗМОТРОН 1993
  • Дмитриев А.В.
  • Белов Г.Г.
  • Подымов А.Н.
RU2027324C1
Высокочастотный плазматрон 1976
  • Гончар Н.И.
  • Звягинцев А.В.
  • Митин Р.В.
SU596125A1
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТРАНСФОРМАТОРНОГО ПЛАЗМОТРОНА 2009
  • Уланов Игорь Максимович
  • Литвинцев Артем Юрьевич
  • Исупов Михаил Витальевич
RU2406592C2
ЭЛЕКТРОДУГОВОЙ ПЛАЗМОТРОН 2016
  • Семенов Александр Алексеевич
RU2672961C2
Способ и установка для получения серы и водорода из сероводородсодержащего газа 2019
  • Кордон Михаил Яковлевич
RU2730487C1
СВЧ-ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНЫХ МАТЕРИАЛОВ 1989
  • Чебаньков Н.И.
RU1618261C
Генератор плазмы 1976
  • Рыкалин Н.Н.
  • Кулагин И.Д.
  • Сорокин Л.М.
  • Николаев А.В.
  • Гугняк А.Б.
SU574100A1
Высокочастотный факельный плазмотрон, для нагрева дисперсного материала 1983
  • Теплоухов В.Л.
SU1094569A1

Иллюстрации к изобретению SU 739 756 A1

Реферат патента 1980 года Разрядная камера вче плазмотрона

Формула изобретения SU 739 756 A1

SU 739 756 A1

Авторы

Гончар Николай Иванович

Звягинцев Александр Васильевич

Митин Роман Владимирович

Даты

1980-06-05Публикация

1978-10-09Подача