..- Изобретение относится к электротехнике, в частиорти к генераторам низкотемпературной пдазмы, кс торые используются для обработки дисперсных материалов,. Известна, высркочастотноГб емк дтндго (ЭЧЁ) пл93|матррнг),, охваченная Kpj;tiiesi iMH зл тродами юде ймединеннымн t вырркрчастотному reHepairdpy. На ciflHQiti тор-г це камеры, лод острым углом к ее внутренней поверхности, установлен по крайней мере один -патрубок подачи жидкости, на щ)угом торце камеры - патрубок отвода жидкости. Такая конструкция позволяет значительно: увеличить однородность обработанного дисперсного материала благодаря тому, что в выходной патрубок попадают лишь дисперсные частицы, прошедшие сковозь зону разряда 1. Известна также разрядная камера ВЧЕ плазматрона для обработки дисперсного материала, содержащая патрубки ввода и вывода плазмообразунУшего газа и материала, установленные в торцовых крышках камеры, и штуцеры ввод и вьюода транспортируиппего газа, присоединен ные тангенцигшьно к стенке камеры 21. Недостатком известной разрядной камеры является то, что часть обрабатываемого дисперсного материала проходит вдоль стенок камеры мимо з0нь1 разряда. При зтом обработанный и необработанный диЬперсный материал поступает в общий сборник, что снижает качество получаемого; -материала. Целью изобретения является повышение .качества Получаемого материала путем умень.цкния содер;кания в нем необработанного материала.- , - . -. л. , . 11оставленная цел достигается тем, что патрубок, вьтода заглублен в камеру и образует с е/стеиками кольцевую полость,штуцер вы- вода размещен в зоне кольцевой полости, а штуцер ввода установлен встречно штуцеру вывода и выше него по-ходу подачи мате1«ала. На фиг. 1 изображена разрядная камера ВЧЕ плазматрона; на фиг. 2 - разрез камеры по штуцеру ввода транспортирующего наза. разрядная камера 1 с патрубками подачи 2 и вывода 3 плазмообразующего газа и дисперсного материала охвачена кольцевыми электродами 4, подключенными к ВЧ генератору 5. Патрубок вьгеода 3 углублен внутрь камсфы 1 и закреплер. Образованная внутренней поверхностью камеры I и патрубком 3 глухая кольцевая щель 6 С1габжена двумя игтуцерами 7 и 8 подачи транспортирующего газа и вьгаода его вместе с необработанным дисперсным материалом. Штуцеры 7 и 8 располагают по касательной к внутренней поверхности камеры 1 на разных уровнях и во встречных направлениях. Штуцер вывода транспортирующего газа расположен ниже шту цера подачи по ходу движения рабочего газа и обрабатываемых частиц. Камера работает следующим образом. Плазмообразующий газ и обрабатываемые дисперсньте частицы подаются через патрубок 2 в зону емкостного .разряда, создаваемого внещними электродами 4. Частицы, прошедши через одну зону разряда, попадают в патрубо 3- Те частицы, которые вследствие расширения потока рабочего газа, выходящего из патрубка 2, движутся вдоль стенки разрядной камеры, остаются либо необработанными, либо обработанными в меньшей степени, чем частицы движущиеся через разряд. Эти частиць попада ют в глухую кольцевую шель 6 и выносятся в штуцер 8 потоком транспортирующего газа, который подается в штуцер 7, Таким образом в патрубок 3 попадают лишь хорошо обработакные частицы, прошедшие всю зону разря Этим достигается высокая степень однороддастИ получаемого дисперсного материала. Рабочий и транспортирующий газы могут быть различными, либо может использоваться один и тот же газ .При этой может быть подобрана газовая среда с восстановительными, окислительными, нейтральными и другими свойствами по отноргению к обрабатываемому материалу. При использовании чистых газов может быть достигнута высокая степень чистбть. получаемого дисперсного материала. Располо: жециё штуцеров транспортирующего газа по касательной к внутренней поверхности камеры во встречных направлениях на разных уровнях по ходу движения частиц способствует созданию в щели 6 винтового поступательного . - 4 движения газа, эффектгшиозахватывающего и выводящего необработанные, дисперсные частицы. . -: , .,: ,ях;. Для транспортировки частиц, попавших в кольцевую щель 6, может быть использована жидкость, если по условиям технологического процесса в камере допустимо наличие, ее парбВ. Описанная конструкция позволяет обрабатьюать более ишрокий класс веществ, в том числе активных и требующих особо чистых условий обработки. Это объясняется возможностью создания и поддержания газовой атмосферы строго контролируемого состава в -рабочей камере. Кроме того, повышено качество получаемого материала благодаря тому, что в нем схэдержится в 5-6 раз меньще необработанных частиц, чем при использовании известных конструкций. Формула изобретения Разрядная камера ВЧЕ плазматрона для обработки дисперсного материала, содержащая патрубки ввода и -вьшода плазмообразующего газа и материала, установленные в торцовых крьщках камеры, h штуцеры ввода и вьшода транспортируюи го газа, просоединенные тангенциально к стенке камеры, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества материала путем уменьшения содержа1ШЯ в нем необработанного материала, патрубок вьгоода заглублен в камеру и образует с ее стенками кольцевую Полость, штуцер вывода размешен в зоне кольцевой полости, а цгг)цер ввода установлен встречно штуцеру вьшода и вьпле него по ходу подачи материала. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР № 596125, кл. Н 05 В 7/18, 28.06.1976. 2.Авторское свидетельство СССР № 544348, кл. Н 05 В 7/18, 28.09.1976 (прототип).
Х-/4
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Устройство для плазменной обработки порошковых материалов | 1979 |
|
SU810054A1 |
ПЛАЗМАТРОН | 2003 |
|
RU2225084C1 |
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ЕМКОСТНЫЙ ПЛАЗМОТРОН | 1993 |
|
RU2027324C1 |
Высокочастотный плазматрон | 1976 |
|
SU596125A1 |
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТРАНСФОРМАТОРНОГО ПЛАЗМОТРОНА | 2009 |
|
RU2406592C2 |
ЭЛЕКТРОДУГОВОЙ ПЛАЗМОТРОН | 2016 |
|
RU2672961C2 |
Способ и установка для получения серы и водорода из сероводородсодержащего газа | 2019 |
|
RU2730487C1 |
СВЧ-ПЛАЗМОТРОН ДЛЯ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНЫХ МАТЕРИАЛОВ | 1989 |
|
RU1618261C |
Генератор плазмы | 1976 |
|
SU574100A1 |
Высокочастотный факельный плазмотрон, для нагрева дисперсного материала | 1983 |
|
SU1094569A1 |
Авторы
Даты
1980-06-05—Публикация
1978-10-09—Подача