Устройство для плазменной обработки порошковых материалов Советский патент 1982 года по МПК H05B7/18 H05H1/24 

Описание патента на изобретение SU810054A1

Изобретение относится к электротехнике, а более конкретно, к плазменным устройствам для технологических процессов.

Известно устройство для плазменной об. работки порошковых материалов 1, в котором нагрев порошка происходит при его движении вместе с нагретым газом за один проход. Доля тепловой мощности разряда, передаваемая порошку в таких устройствах, невелика и составляет несколько процентов. Кроме того, мала степень обработки порошка широкого грану, лометрического состава.

Известно также устройство для плаз., менной обработки порошковых материалов, яляющееся прототипом, содержащее порошковый питатель и вертикально расположенную разрядную камеру ВЧ-плазмотрона, к нижней части которой пристыкованы патрубок ввода и прерыватель потока газа, а к верхней - сборник порошка 2.

Недостатком известного устройства является низкая степень обработки порошка широкого гранулометрического состава.

Целью изобретения является увеличение степени обработки порошка широкого гранулометрического состава путем регулирования времени его пребывания в плазме.

Указанная цель достигается тем, что разрядная камера ВЧ-плазмотрона выполнена цилиндрической с наружными кольцевыми электродами, а порошковый питатель расположен между прерывателем потока рабочего газа и разрядной камерой.

Вариант выполнения устройства для плазменной обработки порошковых материалов приведен на чертеже.Устройство выполнено в виде двух кольцевых электродов 1, подключенных к ВЧгекератору 2. Электроды охватывают кварцевую разрядную камеру 3. Нижний торец разрядной камеры имеет осевое сужение и патрубок ввода рабочего газа и обрабатываемых частиц 4. Перед патрубком 4 установлен прерыватель 5 потока газа, выполненный, например, в виде вращающегося вентиля. Порошковый питатель 6 соединен с патрубком через трубку 7 с клапаном: 8, который обеспечивает импульсную подачу сыпучего материала. Верхний торец камеры имеет патрубок вывода 9 и сборник 10 обработанного ророшка.

Устройство работает следующим образом.

Между электродами внутри камеры возбуждается ВЧЕ-разряд. Снизу в патрубок 4 подается газ, служащий для создания плазмы разряда и для транспортировки обрабатываемых частиц. Газовый поток периодически прерывается прерывателем 5. Через патрубок 4 в камеру поступают обрабатываемые частицы из питателя 6. Давление газа в патрубке 4 по)Ддерживают таким, чтобы при открытом вентиле прерывателя 5 частицы в камере увлекались газовым потоком вверх. В паузах подачи газа частицы под действием собствениого веса падают вниз. Соотношение времен подачи газа и пауз между подачами выбирают таким, чтобы частицы, совершая в камере колебательное движение, поднимались вверх, проходя зону разряда, и выводились в патрубок вывода 9. При этом может быть обеспечено вполне определенное, регулируемое время нахождения частиц в разряде. Проиллюстрируем движение частиц в камере простым расчетом. Сначала рассмотрен случай обработки частиц одной фракции. Введем обозначения: Н - высота подъема частиц, увлекаемых газовой струей за время t подачи газа. h - расстояние свободного падения частиц в паузе подачи газа длительностью т. Результирующее смещение частицы за цикл «подача - пауза равно Я-h. Число колебательных движений п, совершаемых частицами с момента подачи в камеру до момента выхода в бункер обр ботанных частиц: где L - длина разрядной камеры. Время нахождения частиц в камере, т. е. время обработки Т равно: Т (t+) -п. Рассматриваемый случай, соответствующий подъему частиц вверх, определяется условиемH - .. Минимальное время обработки частиц обеспечивается при значениях Я L. При этом совершается обработка за один проход зоны разряда. При Н - h частицы теоретически могут находиться в зоне разряда неограниченно долго, т. к. п -i-co. Теперь рассмотрим, чем будет отличаться случай подачи в камеру частиц, имеющих различный фракционный состав. Введем в формулы индексы: к - соответствующий крупным частицам им - мелким. Так как мелкие частицы лучше увлекаются потоком газа, то Я„ //„ и Я„ - -Як ЛЯ. Аналогично, учитывая вязкость газовой реды: i , итоге: , {/7„-/г„)-(Як-йк; АЯ+ДЛ. ткуда: Пк - -ГГ Як-йк L з последних формул следует, что время обработки T(t+T:)n крупных частиц больше, чем мелких, т. к. .«. В случае //к-/1к 0 крупные частицы будут оставаться в камере произвольно долго, время же обработки мелких частиц определится равенством L /-Т (+т) A/-/+i Д/УЧ-А/1 Таким образом, в данной конструкции достигается контролируемое время пребывания частиц в камере, причем время обработки более крупных частиц превышает время обработки мелких. Эти качества позволяют получать однородно обработанные порошки даже в случае использования исходных порошков широкого фракционного состава. Условие Я-h О может быть выполнено для любой фракции порошка подбором газа и соотношение времени и т. Это значит, что в данном устройстве возможно увеличение степени обработки порошка широкого гранулометрического состава путем регулирования времени его пребывания в плазме. Формула изобретения Устройство для плазменной обработки порошковых материалов, содержащее порошковый питатель и вертикально расположенную разрядную камеру ВЧ-пл.азмотрона, к нижней части которой пристыкованы патрубок ввода и прерыватель потока газа, а к верхней - сборник порошка, отличающееся тем, что, с целью увели1чения степени обработки порошка широкого .гранулометрического состава путем регулирования времени его пребывания в плазме, разрядная камера ВЧ-плазмотрона выполнена цилиндрической с н|аружными кольцевыми электродами, а порошковый питатель расположен между

прерывателем потока рабочего газа и разрядной камерой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Гончар Н. И. и др. Журнал технической физики, 1975, т. 45, с. 657.

2.Тихомиров И. А. и др. в Сб, физика, техника и применение низкотемпературной

плазмы, Алма-Ата, 1970, с. 706.

Похожие патенты SU810054A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНОГО МАТЕРИАЛА 1991
  • Усов В.Ф.
  • Короткий В.М.
SU1810025A1
УСТАНОВКА ДЛЯ ОБРАБОТКИ СИНТЕТИЧЕСКИХ АЛМАЗНЫХ ПОРОШКОВ 1992
  • Абдуллин И.Ш.
  • Ибрагимов Г.И.
  • Закиров А.М.
  • Кульмамедов Р.Р.
  • Менекеев Р.Х.
RU2048262C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МИКРОСФЕР И МИКРОШАРИКОВ ИЗ ОКСИДНЫХ МАТЕРИАЛОВ 2016
  • Шеховцов Валентин Валерьевич
  • Волокитин Олег Геннадьевич
  • Скрипникова Нелли Карповна
  • Волокитин Геннадий Георгиевич
  • Чибирков Валерий Куприянович
RU2664287C2
Высокочастотный плазматрон 1976
  • Гончар Н.И.
  • Звягинцев А.В.
  • Митин Р.В.
SU596125A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНЫХ ТЕРМОПЛАСТИЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ ИНДУКЦИОННО СВЯЗАННОЙ ПЛАЗМОЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2000
  • Иванов Л.А.
  • Киселев Н.Н.
  • Побережный В.А.
  • Слугин В.А.
  • Сотенский М.Г.
RU2178392C2
Высокочастотный факельный плазмотрон, для нагрева дисперсного материала 1983
  • Теплоухов В.Л.
SU1094569A1
СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОРОШКОВ ТИТАНА И ЕГО СПЛАВОВ ОТ ПРИМЕСИ КИСЛОРОДА 2022
  • Самохин Андрей Владимирович
  • Алексеев Николай Васильевич
  • Фадеев Андрей Андреевич
  • Синайский Михаил Александрович
  • Дорофеев Алексей Андреевич
RU2794190C1
Устройство для обработки огнеупорных оксидов в низкотемпературной плазме 1989
  • Фарнасов Геннадий Алексеевич
  • Серова Нина Александровна
  • Лобжанидзе Борис Робертович
  • Исаев Дмитрий Глебович
  • Дорзет Вадим Сергеевич
  • Снятков Юрий Ильич
  • Баранников Михаил Сергеевич
  • Лукьянов Евгений Львович
  • Рахалин Евгений Иванович
  • Тимошкин Василий Иванович
SU1681942A1
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ НАНОПОРОШКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТРАНСФОРМАТОРНОГО ПЛАЗМОТРОНА 2009
  • Уланов Игорь Максимович
  • Литвинцев Артем Юрьевич
  • Исупов Михаил Витальевич
RU2406592C2
Способ получения металлических и керамических порошков с заданной формой и размером частиц, с применением технологии плазменно-дугового распыления с водяным экраном и устройство для его осуществления 2021
  • Габдрахманов Азат Талгатович
  • Габдрахманова Тансылу Фагимовна
RU2783096C1

Реферат патента 1982 года Устройство для плазменной обработки порошковых материалов

Формула изобретения SU 810 054 A1

SU 810 054 A1

Авторы

Гончар Н.И.

Звягинцев А.В.

Митин Р.В.

Даты

1982-03-30Публикация

1979-10-08Подача