Халькогенидное стекло Советский патент 1978 года по МПК C03C3/12 

ют в электрическую печь, нагретую до 800-850°С, и выдерживают в печи в течение 1 ч при постоянном перемешивании расплава. Расплав охлаждают закалкой в воду.

Пример 2. Процесс синтеза и его иодготовки проводят также, как и в примере I, но берут 0,13 г мышьяка; 3,51 г теллура и 0,36 г галлия.

Свойства нолученных стекол приведены в таблице (состав 1 и 2).

Предлагаемое стекло обладает одновременно низкой температурой размягчения 90-130°С, малой шириной запрещенной зоны (ДЕ 0,7-0,8 эВ), высокой проводимостью (0 Ом-1-см 1), низкой кристаллизационной способностью (не кристаллизуются при перегреве стекла на 90- 100°С выше температуры стеклования), высокой химической стойкостью к растворам азотной кислоты (скорость растворения в 70%-ной НМОз (2-6) 10-5 г.см-2. c-i).

Полученные стекла прозрачны в ИК-области спектра (пропускание 30-40% при длинах волн 2-10 мкм), легкоплавки, не изменяют физико-химических характеристик при хранении в обычной атмосфере в течение года. При применении стекол сушественно упрошается процесс изготовления изделий. Так, стекла допускают перегрев на 90-100° выше температуры стеклования, т. е. до текучего состояния, что позволяет получать из стекла пленки методом горячего прессования

Изобретение найдет применение в электронной промышленности, в частности в микроэлектронике, например, в качестве терморезисторов пороговых переключателей, легкоплавких высокопроводяших припоев и элементов памяти в запоминаюших устройствах.

Формула изобретения

Халькогенидное стекло, включающее As, Те, отличающееся тем, что, с целью повышения кислотостойкости и кристаллизационной способности, оно дополнительно содержит Ga при следуюшем соотношении компонентов, ат. %: As5-35

Те60-80

Ga5-15

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.Патент Франции № 1465528, кл. С ОЗС опублик. 1967.