Способ пайки полупроводниковых приборов Советский патент 1978 года по МПК H01L21/77 

Изобретение относится к технологи изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в электронной промывзленности. Известен способ пайки полупроводниковых приборов , включающий укладку выводов приборов припоя и полупроводниковых .. кристаллов в при способление, сжатие соединяемых деталей и пропускание электрического тока через соединяемые детали и полупроводниковый крисстал в прямом направлении относительно р-я-перехо .да полупроводникового кристалла и снятие давления l . Недостатком данного способа явля ется необходимость укладки полупроводникового кристалла в приспособле ние в строго ориентированном направ лении. Ориентирование полупроводниковых кристаллов диодов ухудшает качество приборов из-за дополнитель ных перемещений и другого ряда манипуляций, связанных с ориентированием. Некоторые типы диодов являютс симметричны.и относительно полупроводникового кристалла, что дает воз можность отказаться от операции ори -ентирования. Целью изобретения является пайка неориентированных кристаллов диодов. Для достижения поставленной цели ток через паяемый прибор с приложением напряжения пропускают дважды, при этом папярность напряжения изменяют относительно p-fi-перехода кристалла диода. Для пайки неориентированных кристаллов диодов.каждаш диод в приспособлении подключают к источнику питания, затем меняют полярность подключения источника питания относительно )р-«-перехода полупроводникового кристалла диода и повторно подключают источник питания. Некоторое-снижение производительности при этом компенсируется ликвидацией операции ориентирования. П р и м е р. в кассету укладывают вырубленную из медной фольги толщиной 0,3 мм гребенку с облуженными окунанием в припой ПОС-61 контактными йлощад сами. На контактные площадки укладывают полупроводниковые кристаллы диодов (кремний КЭФ-40, легированный бором, диаметр 1,8мм, толщина 300 мкм, верхний слой метал лизации -золото толщиной 3-5 мкм). Сверху укладывают вторые выводы приборов. Детали в кассете сжимают многоэлектродной головкой. Давление на каждой сборке достигает 1-1,5 кгс/мм. Через все диоды поочередно пропускают многоимпульсный разряд конденсаторного источника питания. Коммутация рсуществляется тиристорами, управляемыми по заданной программе. Амплитудное значение тока нагрева составляет 290-300 А, время протекания многоимпульсного разряда через каждую сбору деталей 1,2 мс, время зарядки секционированной батареи конденсаторов

40 мс.

Формула изобретения

Способ пайки полупроводниковых приборов, при котором производят укладку выводов, припоя и полупроводниковых кристаллов в приспособление, прикладывают давление, пропускают через выводы и р-п-переход полупроводникового кристалла импульсы тока в прямом направлении (относительно р 11 перехода) , а затем снимают давление, отличающийся тем, что, с целью пайки неориентированных кристаллов диодов, ток через прибор пропускают, прикладывая напряжение дваждеа, при этом меняют полярность напряжения относительно р-Пперехода кристалла диода.

Источники информации, принятые . во внимание при экспертизе;

1. Авторское свидетельство СССР № 539483, кл. Н OIL 21/70, .1974.