Способ изготовления полупроводниковых приборов Советский патент 1987 года по МПК H01L21/50 B23K1/12 

113

Изобретение относится к производству полупроводниковых диодор средней мощности, используемых в радиоаппаратуре.

Цель изобретения - увеличение тех- нологического выхода годных приборов за счет маскирования р п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла, образованной при химическом травлении, от продуктов испа- рения припоя.

На фиг.1 представлена схема взаимного расположения выводов и кристалла с р-п-переходом; на фиг.2 - статистические распределения обратного тока Ifjgp при ориентации кристалла полупроводникового прибора к припаиваемому выводу своей большей площадью (кривая I) и меньшей площадью (кривая II).

Изготовление полупроводникового прибора включает изготовление кристаллов 1 путем химического травления пластин с р-п-переходом 2, на каждой стороне которой соосно нанесены оми- ческие контакты с oтличaюtди tиcя диаметрами. Припайку выводов к каждой стороне поверхности кристалла выполняют импульсами прямого тока разной длительности, но одинаковой энергии, подводимыми через электроды 3 и 4. При этом припайка первого вывода 5 к стороне кристалла с большим диаметром контакта ведется более короткими ;импульсами, чем при припайке второго вывода к стороне кристалла с меньшим диаметром омического контакта.

Выступающая часть боковой поверхности кристалла - зонтик, полученная при химическом травлении пластин, экранирует область р-п-перехода от прямого попадания продуктов испарения припоя при пайке короткими импульсами,

Пример. Способ опробован на участке изготовления диода, кристаллы которого получают методом химического травления пластин с глубокозале- гаюшим р-п-переходом. Глубина р-п-перехода 90 - 100 мкм при толищне пластины 210 - 230 мкм. Форма боковой поверхности кристалла образована в результате химического разделения гтастины (фиг.1,). Р-п-переход полу- . чают диффузией алюминия в п-тип с удельным сопротивлением 10 . .Соосные омические контакты разного диаметра (П, 1,65 мм, П 1,85 NFM)

032

на кристаллах пыполнян Т из золота путем электрохимического осаждения.

Пайку кристаллов к выводу выполняют поочередно импулт..слми прямого тока. При первой пайке используют импульс длительностью 0,35 с, а при второй - I с при одинаковой мощности импульса.

В текущей техт1ологии первая припайка кристаллов к выводу ведется к стороне кристалла с малым диаметром омического контакта, такая последовательность припайки кристаллов к выводам существовала, когда разделение пластины на кристаллы велось методом у;тьтразвуковой резки. Технологический выход годных приборов при контроле параметров на. операции классификации составляет 60 - 65%.

Опытная проверка припайки кристаллов сначала со стороны контакта с большим диаметром, а потом со стороны меньшего диаметра показьгоает увеличение выхода годных приборов при классификации до 70 - 75%,

Анализ полученных результатов показывает, что на опытных приборах повьш ается воспроизводимость электрических параметров, в 5 - 7 раз уменьшается число выг lecKOB припоя в виде мелких шариков припоя со стороны р-п- перехода, что указывает на маскирование продуктов испарения и на уменьшение переплава припоя при первой импульсной припайке.

Статистическое распределение приборов по значениям обратного тока Ipgp , измеренного при обратном напряжении 400 В на 2000 шт. приборах (фиг.2), показывает, что опытные приборы (кривая I) имеют меньший разброс значений I р .

Внедрение способа требует изменения полярности импульса на существующем генераторе импульсов тока и обратной ориентации кристалла в кассете для импульсной пайки. Применение изобретения позволяет увеличить техноло- .гический выход годных приборов на 6 - 8% за счет уменьшения уровня загрязнения р-п-перехода, выходящего на боковую поверхность кристалла, при пайке

Формула изобрете-ния

Способ изготовления полупроводниковых приборов, включающий изготовление кристаллов тгутем химического

травления пластины с глубокозалегающим 1 -п-переходом, на которой соосно нанесены маскирующие омические контакты с различными диаметрами, и поочередную припайку выводов к каждому омическому контакту кристалла импульсами прямого тока разной длительности, отличающийся тем,

что, с целью увеличения технологического выхода годных приборов за счет маскиро-. ;вания р-п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя, сначала припаивают вывод к стороне кристалла с больщим диаметром маскирующего омического контакта.

Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов. Целью изобретения является увеличение технологического выхода годных приборов за счет маскирования р-п-перехода выступающей частью боковой поверхности кристалла от продуктов испарения припоя. При изготовлении полупроводникового прибора сначала припаивают вывод к стороне кристалла с большим диаметром маскирующего омического контакта. Выступающая часть боковой поверхности кристалла, полученная при химическом травлении пластин,, экранирует область р-п-пе- рехода от прямого попадания продуктов испарения припоя при пайке короткими импульсами. Применение изобретения позволит увеличить технологический выход годных приборов на 6-8% за счет уменьшения уровня загрязнения р-п-перехода, выходящего на боковзта поверхность кристалла, при пайке. 2 ил.

(Г у/;/-:уу ;:. О ;.::. Л

Редактор М, Бланар

Составитель Л. Абросимова

Техред Л.Олейник Корректор Е. Рощко

Заказ 3119/51

Тираж 698Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раутпская наб, , д. А/5

Производственно-полиграфическое .предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Фиг.1

ч#

Онорм Фиг, 2

Ю12

oSpj finA