Устройство для получения проб Советский патент 1981 года по МПК G01N1/04 

Изобре1ч.иие относится к области эмиссионного спектрального анализа, в частности к пробоотборникам для лазерного м 1К110спектрального анализа, и может быть использовано для отбора и подготонки проб твердых материалов преимущественно металлов, сплавов. Известно устройство .цля получения проб, содержащее источник лазерного излучения и подложку с осевым отверстием для прохождения лазерного луча, причем отверстие выполнено коническосферическим. Недостатком зтого устройства является то, что часть пробы теряется, т.е. не оседает на стенках подложки, а оседает около кратера, образующегося при воздействии на материал лазерного излучения, что не позволяет обеспечить полноту осаждения выброшенной пробы на подложке, следовательно, достоверность пробы невысока Целью изобретения является повышение достоиориости проб. Это достигается тем, что подложка выполнена в виде диска, причем-диаметр осевого отверстия одной из поверхностей диска меньше или равен диаметру отверстия другой поверхности. На чертеже изображено устройство для получения проб, общий вид. Устройство содержит источник лазерного излучения I и подложку 2, установленную на поверхность исследуемого твердого материала 3. Подпожка выполнена в виде диска с осевым отверстием 4, причем диаметр d отверстия 4 поверхности подложки 2, соприкасающейся с поверхностью материала, меньше или равен диаметру (2 отверстия 4, другой поверхности подложки 2. . Толщина подложки 2 может быть рассчитана по формуле: гет Ч1зее /т

3 63

где Ь - толщина подложки:

ф - меньший диаметр отверстия J поверхности подложки:

Т - темперз ура.

Рассчитанная по этой формуле толщина дает возможность прохождения луча (в пределах применяющегося излучения) без зарезания при цилиндрической форме осевого отверстия.

Устройство работает следующим образом.

Лазерное излучение от источника 1 проходит через осевое отверстие 4 подложки 2 и пропадает в выбранную под микроскопом точку исследуемой поверхности материала 3. Происходит мгновенный взрывообразный выброс с образованием кратера. Выброшен9.4

ая проба оседает на поверхнос-ти шдложки 2 в форме диска. Затем иодлоя у в углубление олектрода, который используют в качестве нижнего электрода при спектральном анализе,

Формула изобретения f

Устройство для получения проб тнердых материалов, включающее источник лазерного излучения и подложку с осевым отверстием, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности проб, подложка выполнена в виде диска, причем диаметр осевого отверстия одной из поверхностей подложки меньше или равен диаметру отверстия другой поверхности.