Электрод электровакуумного прибора Советский патент 1979 года по МПК H01J9/04 

плазменных микрообразований, сопровождающих электронную бомбардировку и обусловленных дефектами поверхностного слоя металла, величина слоя дисульфида молибдена должна лежать в пределах 100 - 1000 А. Пример. Электроды прибора подвергались предварительной очистке по типовой технологии, после чего на рабочую поверхность методом натирания или ионно-плазменного напыления наносилось покрытие из обезвоженного дисульфида молибдена. Электрод устанавливался в прибор, после чего происходила откачка и обезгаживанне прибора по принятой технологии. Стабилизация свойств покрытия проводилась посредством электронной бомбардировки в процессе тренировки прибора. Электроды из меди, молибдена, вольфрама, покрытые дисульфидом молибдена позволили снизить плотность плазменных микрообразований на поверхности их на один- два порядка, в результате чего достигнуты увеличение предельной импульсной нагрузки на медную поверхность анода в 1,6- 1,8 раза за счет повышения порога самофокусировки электронного луча; подавление паразитного возбуждения, повышение электрической прочности, устранение вторичного электронного резонанса и сни/кеиие уровня шумов на ряде образцов электровакуумных приборов СВЧ; снижение коэффициента вторичной электронной эмиссии на меди до 0,8-0,9. Покрытие проявляет эффективность работы в течение длительной эксплуатации. Формула изобретения Электрод электровакуумного прибора, содержащий металлическую основу с антидинатронным покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационных параметров прибора путем подавления плазменных микрообразований, возникающих при отборе тока на электрод, в качестве материала покрытия использован дисульфид молибдена толщиной от 100 до 1000 А. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Эспе В. Технология электровакуумных материалов. Т. 1, М-Л., Госэнергоиздат, 1962, с. 132. 2.Патент Франции № 1382046, кл. И 01J, опублик. 02.11.64.