Способ нанесения антидинатронного покрытия Советский патент 1976 года по МПК H01J9/02 

1

Изобретение относится к способам нанесения антидинатронного покрытия, например, на Ieтaлличecкиe электроды электровакуумных приборов (ЭВП).

Известен способ получения антидинатронного покрытия, например, из углерода на металлических деталях электронных ламп, в частности на электродах, путем электролитического осаждения материала покрытия. Способ состоит в том, что на предварительно окисленные на воздухе поверхности металлическгх деталей методом электрофореза наносится слой формиата никеля, на который затем наносится также второй слой из окиси никеля. Покрытые таким способом детали отжигаются в водороде.

Однако образующаяся в результате отжига пористая губчатая поверхность адсорбирует остаточные газы, что приводит к длительному I aзooтдeлeншo в процессе откачки и работы прибора. Покрытия из окислов разлагаются под действием электронной бомбардировки, что приводит к нестабильности вторичноэмиссионных свойств в процессе работы прибора. Кроме того, получаемое покрытие имеет существенно более низкую электропроводность, чем медь, что приводит к ухудшению резонансных систем ЭВП и росту потерь на высокой частоте.

Целью изобретения является повышение стабильности антидинатронных свойств покрытия и увеличение электропроводности покрытия до величины, практически не отлича7ощейся от таковой для меди.

Предлагаемый способ нанесения антидинатронного покрытия на металлические электроды путем электролитического осаждения металла с последующим отжигом отличается от известных тем, что в электролит, например, меднения вводят мелкодисперсный порошок материала, имеющего низкий коэффиент вторичной электронной эмиссии, например углерод, и проводят процесс электролитического осаждения при непрерывном перемешивании.

Для нанесения антидинатронного покрытия берут электролит, например, следующего состава (в вес.%):

CuS048-9

,8-2,5 82.0-84,4 в который вводят мелкодисперсный порошок например, углерода марки С-1 в количестве 5,8-6,5 вес.%. В электролизер загружают очищенные электроды, причем поверхности, не подлежащие покрытию, изолируют с помощью кислотостойкого лака, и при непрерывном перемешивании электролита, комнатной температуре и катодной плотности тока 45 а/дм в течение 1-2 мин производят осаждение покрытия. Детали затем отжигают в вакууме 1О - 1О торр при температуре 600-700°С в течение 10-15 мин. По лученное покрытие имеет максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии 6 O,9i.O,95. Таким образом, предлагаемый способ нанесения антидинатроннохх покрытия позволяет снизить коэффициент вторичной электрон- « ной эмиссии металлических деталей ЭВП до величины ё 0,9vO,95, обеспечить хорошую электропроводность покрытия, практически не отличающуюся от таковой для меди, повысить стабильность свойств покрытия, достичь однородности наносимых покрытий по толщине независимо от конфигурации покрываемых деталей. Формула изобретения Способ нанесения антидинатронного покрытия, например из углерода, на детали электронных ламп, в частности на электроды. путем электролитическо1Х) осаждения материала покрытия, отличающийся тем, что, с пелью повышения стабильности антидинатронных свойств и электропроводности покрытия, порошок материала вводят в электролит меднения, после чего при непрерывном перемешивании производят процесс оса здения.