Способ изготовления интегральных схем Советский патент 1993 года по МПК H01L21/306 

. .

S 1 Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к производству интегральных схем. ;;, ; : .Известен спосбб изготовления ийтегра1льных 6xeiM (ИС). В известнои(способе изолированныё6бластиполуча отся путем травления через OKMCHytd маску ()азделйтел ьн ых ка Налов, окисления рельефной по;.верхн остги, нараи|ивйнйй; на; окйсную поверхность Г1олйкрйстадлическрго слоя и сошлифов1(и МонЬкристаЛла для вскрцтия разделительных kiaHa/ioa и Г1олученйя йёрбходймбР глубинь з&лёгаНйй областей монОг к рист лличейко гЬ кремния. $т6т бпрсОб & ; позволяет получить качественные й;золи|эО ; ванные oQ/iaiCTH ЙС что снижает процент..: В;ЫХрдаГрДЙ1 1)ИС.г:МЙЩуУ ; --5 : :Ж У-; известен спрербйзг ральнЦх схемг включающий HJaHeceHi e мас4 ки на пластину 4рнс крйсталла, травление через маску раздёлйтё;1ьных1(айалрв,д| ;1г6 л Дени(е рельефйрй пЬверхнрртй, /Нанесение : : не ркйбную поверхность поликрибталлйче;.скрГойЛи диэлектрического слоя и удаление; : -мрир кристалл а дО в ыя Вл е ний изрлйррвйй-; ::-нщ:о5пасг. ; ,;V ТрЧНрГ р- ОЛ окрнч5НЙя;сршлифрвки монокристалла 1 :;;-; ф6тбрезиЬ|ррнрй миске распр ;: пЬд кс)нтррл цные(углубления такрй 4 ; V размёррв, :чтрбы rjpW др&влёний ;V тельных1саналрв Hia заданную П1у№нукрн ;-ррлЦнь«е углубления, й гртйвливалй : нрмиНйль(Ную глубину зa ieгaния MpHokpni ;; 1 :сошлйфрвку вед ; ркйснрй плеккй кр ярол« ных углублейййу rtb: позволяет увелVwHTbnp Нат1одло к/. -Г:-;: :- ке. -iv;4 - SK ;-iJ:p : S: -ii:. ;; л; /pi Haikdтакой сНосрб крнтрЩ йрстиже : ; ; НИИ а анНРй rfly6iiiHH: afleraK ; ; icta/t/is Х)6есп1ечивает одйнакрву ;:;;/ :.в:скрытйя;; й/е / по ,вс й Т1ластинё;:- д; трл 1 /шщь ё опред1влённой 1 бежнргр изгиба в её йаУ ращивания на мрнР «0йсталд пластину Кррмег Tprpi; 1изве6т|« «й; спс / рснрван на фшлифовкё кгонркрйсТй появления йётрк (крнт|зрльн|Ыхуп1ублеНйРО; : а; так как метки расг рлржейы на гп ;; меньшей; чём; глубина прртравлёнйР Ь . рельефа, то одновременно с мрнркрйстал лмческими изолированными рбластямй сошлифовываеТся и материал подложки, Что приводит, во-первых, к првышенным требрванйям к материалу йодложки, чтобы йсклкучить проникновение нежелательных примесей в изолированные области монокристалла и, во-вторых, к уменьшеник) плоттого, что сошлифованные области материала подлржки занимают полезную часть площади пластины/,; :;::...,,::..: .. :-. |-: Целью из обретёйия является повыше- : нйе процента выхрда Годных интегральных схем и улучшение качества поверхнрстй изс1лированных областей. - ; ;. ;; v . / eV- Указанная цельдостигается тем. ч1тс удаление мрнокрисдгалла производят путгем Г1рслойногр анодирования мойокристаллар последующим; р;аств6ренйем6бразовайшё : ifQca-oKMcna J,/.:. :( Анодйррваниё п0Рйрхрдйт трлько Yipn Йалйчии прлржитёльнргр пртенЦйала на мр;Нокрйсталлё;следоватёльнр. процесс удал0нйя; монркристалла бу/1ет пррдрлжаться до дорТижёййя дна ра5( йтет ьн ых канаTJpB, ;Т.е, до прявлрййя бкйсйЬй Ьлейкй , йзрлйррванй 1х об ластей, так (ак на: йзрлированныё области г ртейциала не Г1опадает су1е чр|аатёДьйо,: ггррцёсС: нрдиррбайи ;йТйх: облас;тёй-;ГгрЪисхрдйтЬ йе мржет. В :П1рёдлагаемрмрпрсрбр:пр(УЦёср Удалений л мрнр1 ристалла автОматйЧеЬ| й гтрекр ;сй при достюкёййи бкйсйрй :пЛ1енки р лителькь«; канавок, при-sit полная зДектричеркая ИЗОЛЯЦИЯ-с Таким образом, тубйн изрлировайнн ; Лзстёй ЦонркрибталДа рпреДеД;яетс : 1Йй вы грйаДейногб релйфа « ;не-зав1/14 отМ: Н|р рги6а гшДлРжки/ Йа прверхйрсти вскрь(-;; три Г1ласт йны- нахрдятся изолйровайныё об Дартй, разделённиё п|5рмёж Окисла, -Ivi :;кЬтРрый р6{эа13рвался при- ркибленйй лрвГ Е1ытра:вленнЬ1х в; исходНрм мpнPkpй:;у: ста л Д е; дтот; ip кисел яв л яеггся защитой; от; ; Цройикйрйнйя;нежёД теДьны){ примесей ;;) из несущей подложки, чтЬ;6сДа|бляет требо- : ;вс1й.йя к материалу Несущейг1Ьдлржки. У .рйй9: } 5канаутрв у ; вытравленных X :;м6йркристалДйЧ1&с;К1рй;пДг1ртине как пра1ви : До макёиМальйа у гтрверхнрстй: г Дастинь и .;,: ;Г(рмёреУглублеййя .сужается и мййиМаль.йа ч ; на дйё кййзД - В свя;зй t; тем чтр процесс удаления мрйо1срйс таДла при вскрытий предлагэемьгм способом йроисходит только до дна кайалрв, рёсртряние между изолировайными обДастями монокристалла на вбкрытой подложке бу.цет определяться ши- ; риИой дна кайаДа и в любом случае будет меньше, чем в,изве;стн|Ьм спрсобе вскрытия СршлифовкойдрНоявлёния окисной плёнки ; койтроДьных углублений. КррмезтогЬ, в предлагаемом способе удаление монокристалла не сопровождается механическим Нарушением поверхностнргр слоя монокристалла, что всегда имеет место Нрй сошлйг фовке. Процессы анодировайия МОНОКОИСТаЛЛа и УПЯЛРНМР ПППУЧОММПЙ пгмл