Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1979 года по МПК C04B35/462 C04B35/495 H01G4/12 

Изобретение относится к технологи .производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении керамических конденсаторов, работающих в условиях повышенных температур, до . Известны сегнетоэлектрические керамические титаносодержащие материалы с высокой диэлектрической проницаемостью, применяемые для изготовления конденсаторов 1. Не; остатками известных материалов являются высокие температуры спекани узкий температурный интервал стабиль ности емкости (не .шире 85-125С) , вы сокая плотность (5-5,8-6,5 г/смЗ). Наиболее близким техническим реше .нцем к данному изобретению является материал на основе системы . ВаТЮз (с срдержанием ЫаНЮз до 50 мол.%) 2 . Недостатками известного материала являются высокие значения температуры спекания, nJfoTHocTH , диэлектричес Ких потерь, узкий рабочий интервал . температур и высокая нестабильность емкости внутри этого интервала. Целью изобретения является снижение температуры спекания, диэлектрических потерь, расширение рабочегр интервала температур и повышение стабильности емкости в этом интервале при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости. Цель достигается тем, что сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий ТЮд, NajjO, Nbi05 дополнительно содержит BiaOj и при следующем соотношении компонентов, мол.%: TiOa30,4-36,4 NagO.30,4-36,4 NbjOs18,2-26,1 ,5-6,55 4,5-6,55 На чертеже приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости S/fg (цифры соответствуют составам в таблице). Сегнетркерамический конденсаторный материал представляет собой твердый раствор системы ЫаМЬО - Bi/д TiCV Синтез составов осуществляют по обычной керамической.технологии двухкратным обжигом. Температуры синтеза Т - 800С Т - 850С, продолжительности t tj 5 ч. , .|.,, ::;: ..:;-. . - .: /ЙСХО1ЦН да омп6ненташ ;явЛйются окислы ( ) квалификации чда,. Спекание производят методом горячего прессования. по спедую1а.еьлу режиму: температура

Физические характеристики твердых растворов (100-х) NaNbO3.x(ktBi)o3 ТЮз 66752 6- - -4 Ген f 1100 с, давление Ра 00 кг/рм, время вьвдержки мич. Данны о физических характеристиках исследованных составов приведены в таблице.

4 rw: -C wVr-:rti:- f-i.---- -- -V---- -- 120 1070 4,64 30 1550 ±6,5 225 1075 4,69 35 1450 ±7 330 1070 4,71 65 1400 ±8

Примечание. Электрические измерения проводились на частоте 1 кГц, при величине измерительного поля 10-20 В/см поляризации.

Использовались образцы в форме дисков диаметром 9-10 мм и толщиной 0,7-1,0 мм с вожженными при серебрянными электродами. Формула изобретения Сегнетоэл.ектрический керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий , Na,O , , отличаю-30 щ и и с я тем, что, с целью снижения температуры спекания, диэлектрических потерь, расширения рабочего интервала температур и повышения стабильности-емкости в рабочем ин- 35 тервале при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемос тк/ он дополнительно содержит и по вн кл кл +9 +22 0,016 0,014 0,018 225 32 ±7,5 ±18,5 0,016 0,015 0,019 110 17 +10/ ±10,5 0,018 0,016 0,020 71 13 KgO при следующем соотношении комнентов, мол.%: ТЮй30,4-36,4 30,4-36,4 18,2-26,1 4,5-6,55 4,5-6,55 Источники информации, принятые во имание при экспертизе 1.Патент С1)№ 2742370, . 106-39, 1956. 2.Патент США 264359, . 264-65, 1953.