..1 Изобретение относится к керамиче кйм материалам и моЖеТ быть исгюлбЗ вано в электронной технике для иэготсжления высокочастотных термостабильных конденсаторов. известен керамический материал н основе CaTiOj -ZajOj-TiO для высок частотных термостабильных ионолитных конденсаторов {. Этот материал имеет низкую, диэлектрическую проницаемость . Наиболее близким к изобретению является материал на основе керамического спека титаната бария с редкоземельным окислом из ряда ,. Ndj,Oj , SmjiOj и окисью висмута 2. Однако этот Материал характеризуется плохой воспроизводимостью рсн нах диэлектрических свойств и высоко температурой спекания. Целью изобретения является повышение стабильности температурного коэффициента диэлектрической проницаемости и снижение температуры спекания. Для этого керамический материал, преимущественно для высокочастотных термостабильных конденсаторов, на основекерамического спека титаната бария с редкоземельным окислом из ряда LdjOjiNdjOj ( SntjOs и окисью висмута, дополнительно содержит борат цинка при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%: Кера:мический спек 95-97 БораТ цинка Причем керамический спек содержит исходные компоненты в следующем соотношении, вес.%: 17-20 29-38,5 bdjO-iNdiOjjStriaOa 5,5-17,0 ttijO, 37,0-39,5 Т402 при этом борат цинка содержит окись цинйа и окисел бора при следующем соотношении исходных компонентов, вес.%: UnO53-54,5 .. Б,0, 45,5-47. Для получения керамического материала сначала приготгшливгиот по обычной керамической технологии из PdCOj 7(02 , Ь1дОз и (где Zn-t.a,Nd, Bra) cneKft«Ln fi- b.,a с использованием двукратного синтеза при текшёратурах 1100С и 1320 . Затем синтезируют борат цинка из 1лО и «j Ojпри температуре
800-870 С. Спеки измельчают и составляют шихту керамического материала из. Ва2п2(гХ)ЫауТ1;,, О и бората цинка, взятых в необходимом соотношении. После первичного смешивания шихту подвергают термообработке при температуре 880- 70С и измельчают по удельной поверхности &уц 5500 см.;
Из порошка материала любым ,из известных методов формуют заготовки
конденсаторов, которые обжигают в окислительной среде при температуре 1020-1080с. При этом достигается высокая воспроизводимость температурного коэффициента емкости (ТКЕ) 5 конденсаторов, а в качестве их Электродов используется сплав (30 и 70%) серебра с палладием взамен платины.
В таблице приведены составы и свойства предложенного керамическоJQ го материала. .
Таблица
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Керамический материал | 1981 |
|
SU1021676A1 |
Керамический материал для высокочастотных конденсаторов и способ изготовления высокочастотных конденсаторов | 1990 |
|
SU1752197A3 |
Шихта для керамики и способ ее изготовления | 1978 |
|
SU791703A1 |
ШИХТА КЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОМПЕНСИРУЮЩИХ МАТЕРИАЛОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛА ИЗ НЕЕ | 1992 |
|
RU2079916C1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | 1991 |
|
RU2079913C1 |
ШИХТА СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 1992 |
|
RU2047584C1 |
Шихта для изготовления керамических конденсаторов | 1978 |
|
SU687043A1 |
Шихта керамического материала для высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов | 1987 |
|
SU1446130A1 |
КЕРАМИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ | 1973 |
|
SU395912A1 |
Способ получения керамического порошка на основе титаната бария | 1978 |
|
SU791699A1 |
Авторы
Даты
1979-10-25—Публикация
1978-01-17—Подача