Шихта для изготовления керамических конденсаторов Советский патент 1979 года по МПК C04B35/468 C04B35/49 

(54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в электронной технике для изготовления электрических конденсаторов постоянной емкостей.

Известны сегнетокерамические материалы с высокими значениями диэлектрических свойств на основе твердых растворов ВаТЮ - BaSnOj CaTiq5 ; BaTiC - PbSnO ; BaTiOjB ZrOi (1 .

Однако такие материалы имеют недостаточно высокую термостойкость.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является материал типа Т-8000 на основе твердьпс растворов титаната-цирконата бария с добавками оксидов цинка и висмута 2

Однако данные материалы обладают недостаточно высокой термостойкостью, электрической прочностью и воспроизводимостью диэлектрических свойств, что ограничивает использование этих материалов в массовом производстве керамических конденсаторов.

Цель изобретения - повышение тер|мостойкости, электрической прочности

и воспроизводимости диэлектрически свойств конденсаторов.

Это достигается тем, что шихта для изготовления кергичических конденсаторов, содержащая ВаТЮ, BaZrbj и добавки ZnO и Допблнйтельно содержит мелкодисперный Аб при следующем соотношении компонентов, вес.:.

BaTiOj 81,3-87,175

BaZrOn12,0-15,0

ZnOО,5-1,1

BiJtO О , 3-0 , 6

Мелкодисперс0,025-2,0ный А

Для получения данного материала приготавливают смесь в необходимых соотношениях из предварительно синтезированных известными способами спекрв BaTiOj BaZrOj с добавками ZnO, BijOj и мелкодисперсного металлического АИ. Смесь спеков с добавками измельчают до удельной поверхности 5000-7000 . Полученную массу пластифицируют известными способами, формуют в изделия и обжигают при 1300-1400 0 в течение 1-3 ч. 0,72-1,03 0,83-1,12

2,9-3,4 3,8-4,4

5,5-6,34,9-5,7

98-118113-130 При этом разброс значений диэлектрической проницаемости не превышает 6,5%, для удельного объемного сопротивления и электрической прочност он составляет 7-8%, а для тангенса угла диэлектрических потерь 15-16,5% (в сравнении с 12%, 10% и 23% разброса тех же параметров у известного материала). рмула изобретения Шихта для изготовления кера гаческих конденсаторов,содержащая BaTiOj, Ва2гОз и добавки ZnO и BiaO , о V личающаяся тем, что, с целью повышения термостойкости, элект

0,94-1,321,05-1,67

2,9-3,50,85-1,14

5,4-6,24,3-5,3

124-13776-105 рической прочности и воспроизводимости диэлектрических свойств конденсаторов, она дополнительно содержит мелкодисперсный А при следующем соотношении компонентов, вес.%: ВаТЮз81,3-87,175 BaZrO,12,0-15,0 ZnO0,5-1,1 ,3-0,6 Мелкодисперсный Afi 0,025-2,0. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США О 3.345.189, кл. 106-39, опублик. 1968. 2.Вопросы радиоэлектроники , сер. 3, вып. 5, 1962, с. 21-26.