Способ удаления фоторезистивного покрытия с подложки Советский патент 1979 года по МПК G03C1/68 

Изобретение относится к способам удаления фотррезистивных покрытий с подложек к может быть испольЕЮВано в полупроводниковой и полиграфической промьппленности.

Известен способ удаления фоторезйстивного покрытия с подложки путем термообработки подложки в инфракрасной пеня при 300-32О°С в токе окислительного газа (кислород или воздух) в течение 30 мин. Скорость нагрева пооложкй не: указана l .

Недостатком известного способа является низкая производительность прсихес- са, обусловленная длительность) термообработки поцложки.

Целью изобретения является повышение производительности продесса,

Поставленная цель достигается тем, что в способе удаления фоторезистиЕйюго покрытия с подложек путем термообработ ки подложки в инфракрасной печи при ЗОО-320 С в i;QKe окислительного газа

термообработку подложки проводят со скоростью нагрева 20-30 Град.

Использование предлагаемого способа позволит повысить производительность процесса удаления фоторезистивного покрытия с подложек примерно в 50 раз, так как, время термообработки сокращается до 1О-15 с.

Обрабатываемью подложки с фоторевистив«ым покрытием помещают в рабочую камеру, в которой создают разрежение, а ватем поддерживают давление окислительйого гава (воздух) не менее 0,1 атм.

Нагрев образцов осуществляют от «инфракрасного излучателя марки КИ-22О-10ОО-5 с воздухоохлаждаемым акранстл при создании на транспортирующем устройстве равномерного поля нагреЬа длиною 60 мм.

Образцы, псж1ещенные на транспортирующее устройство, проходят зону нагрева с постоянной скоростью, причем замерено, что максимальная температура дойтига|&гся при подходе образца к выходу Ив зоны нагрева (наблюдения через специальное окно в рабочей камере). . Температуру аймеряют хромель-копеле вой термопарой, подпирающей образец снизу и перемещающейся вместе с образцом. Температуру на образцах задают путем изменения скорости движения образцов и раес гЬннйя их от излучателя, П р и мер 1,Фоторезистивный слой Ив фоторезиста ФН-11 (фоторезист на основе циклокаучука, очувст&ленного биа- видами) толщиной до 3 мкй удаляют с. подложек - вывойных рамок интегральных схем иа ковара и нцкеля толщиной 0,2 мм При расстоянии от нагревателя до образца 2 см в скорости движения образца 24 см/мин время прохождения через зону кагрева 15 с мфксимальйгая температу ра ЗОО. Скорость нагрева 20 град/с, Фоторезист удалей появостью. При расстоянии от нагревателя до об- равца 1 сМ и скорости движения образца 36 см/мин обравец проходит через вову вагрева за 10 с, максимальная температура 300°С, Скорость нагрева 30 грд/с, Фоторевист удален .полностью. Пример 2. |Фоторевистивный слой ив фоторезиста (фоторезист на основе фенолформальдегигчой сМолы и о-хиновдиавида) толщиной 1 мкм удаляют с тех же подложек, что и в примере 1. При расстоянии от нагревателя до об раеца 2 см и скорости движения 24 см/мив обравец проходит через вону ВагреВа ва 15 с, Максимальная темпера- тура . Скорость нагрева 21,4 град/с, Фоторезист удален полностью, П р и м е р 3, Образцы фоторевистивного слоя фоторезиста ФН-11 толщиной 3 мкм удаляют с отрезка дёнты лакофолв гового диэлектрика марки ФДИ-А ив никеля и ковара. Нагревают образцы с помощью лампы КГ-220-1000-5 до теШтературы 305f 5°С, изменяя скорость нагрева от 1 до 30 град/с и время вагрева. При скорости нагрева 1,5,10,15,20, 25 и 30 град/с; время выдержки при 305 ±. 5°С до полного удаления фоторезиста 300, 240, 120, 60, О, О и Ос, полное врем51 термообработки 600,300, 150,80,15,12 и 10 с соответственно. Ло предварительным расчетам трудоемкость обработки ва сэтерации удаления фоторезиста для одной рамки снизится в 10 раз, а себестоимость на 20%. формулаиз обре тения Способ удаления фоторезистивного покрьггия с цодлож5;и путем термообработки подложки в инфракрасной печи при ЗОО3iiOOc в токе окислительного газа, о т л И ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повыщения производительности процесса термообработку подложки проводят со скоростью Нагрева 20-30 град/с. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторскоесвидетельство СССР № , кл. (3 03 С 1/68, оп.ублик. 1970 (прототип).