Формирователь импульсов выборки элементов памяти Советский патент 1980 года по МПК G11C7/22 G11C11/40 

Изобретение относ кто я к. вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах. Известны адресные формирователи импульсов выборки элементе памяти В каждом из них на выходе формирует ся положительный импульс напряжения, который позволяет в матрице накопителя выбрать необходимый элемент памяти. Однако известные устройства имеют малую надежность. Целью изобретения является повышение надежности формирователя без увеличения потребляемой мощности. Достиг тся это введением в устройство, дополнительного ti-p-n транзистсра, база которого подключена к коллектору ..l транзистора, эмиттер к шине выборки, коллектор к базе р-п-р транэиотора, а база п-р-п транзистора по ДЕЛЮ чена к входной шине. Формирователь импульсов выборки апемснтоБ памяти содержит транзист«ф 1 п-р-п транзистор 2, резисторы 3,4, It 5, шина 6 выборки элементов памяти, . генератор 7 тока выборки, источник 8 питаш1я, последовательно включенtOJe диоды 9 смещения; дополнительный ,п-р-п транзистор 10. В режиме покоя ток генератора тока выборки 7 равен нулю. Предположим, что транзистор 2 открыт, а п-Р-п транзистор Ю закрыт. Тогда за счет тока коллектора транзистора 2, обусловленного током шины выборки 6 Iui6,,f5a резисторе 5 создается падение напрялсё ния и напряжение база-эмиттер дополнительного п-р-п транзистора 10 меньше напряже1шя база-экиттер транзистора 2. Так как транзистор 10 закрыт, то и рь-П-р транзистор 1 тоже закрыт. Потенциал шины выборки 6 определяется как u: E:n-2Vu,,,-i,,-R,. где Ef - напряжение источника питания 81 2Уд.- падение напряжения на диодах смещения 9; - падение напряжения на переходе база-эмиттер открытого транзистора 2; Tg - ток базы транзистора 2; Й - сопротивление резистора 4. В момент выборки включается генератор тока выборки 7 и его ток понижае потенциал базы транзистора 2. Включает ся транзист( Ю и транзистор 1. Пока включен генератор тока выборки 7, тока коллектора транзистора1 недостаточно, чтобы повысить потенциал базы транзистора 2, поэтому он остается закрытым. В данном состоянии потенциал щины выбс ки элементов памяти 6 определяется, как шв п вэ1о где и -падение напряжения на переходе баёа-эмиттер открытого транзистора О -ток базы транзистора 1О -сопротивление резистора 5. Причем и -шв шв Р ИЗОШЛО повышение потенциала шины выборки 6. После того, как I выключится генератор Тока выборки 7, начнется повышение потенциала базы транзистора 2. Так как р-п-р транзистора 1 является более ине ционным,, чем п -р-Г) транзисторы 2 и Ю то его ток коллектора обеспечивает повышение потенциала базы транзистора 2 настолько, что включается транзистс 2 и выключается транзистор 10. Это приводит, формирователь импульсов в первоначальное состояние, когда транзистор 2 открыт, а транзисторы 1 и 10 закрыты. В свою очередь, потенциал шины выборки Элементов памяти 6 понижается до значения. и . В предлагаемом устройстве р-п-р транзистор 1 играет вспомогательную роль и его сравнительно низкое быстродействие не влияет на скорость повышения потенциала шины выборки 6. Увеличение быстродействия формирователя достигается без увеличения потреб. ляемой мощности. Формула изобретения Формирователь импульсов выборки элементов памяти, содержащий р-п-р транзистор, база которого через первый резистор и эмиттер соединены с шиной питания, п -р-п транзнстсчз, база которого подключена к коллектору р-п-р транзистора и через последовательно соединенные второй резистор и диоды смещения к шине питания, коллектор через третий резистор подключен к шине питания, а эмиттер к шине, выборки, и входную шину, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, он содержит дополнительный п -р-п транзистор, база которого подключена к коллектору п-р-п транзистора, эмиттер к шине выборки, коллектор к базе р-п-р транзистора, а база п-р-П транзистора подключена к входной шине. Ис гочники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент Франции № 2112364, кл. Q 11 С 11/00, 1972. 2.Патент США N9 3624620, кл. 340-173, 1972. 3. Электроника, N9 9, 1974.

I

10

/

LX