Способ изготовления защитных рельефов Советский патент 1980 года по МПК G03C1/68 

Изобретение, относится к способу изготовления защитных рельефов при производстве пе-. чатных плат и других аналогичных изделий фотохимическим методом.

Известен способ изготовления защитных рельефов при производстве печатных плат путем удаления загрязнений с поверхнос1ги фольгированного дизлектрика (обезжиривание, декапирование минеральными кислотами), нанесения на него светочувствительного слоя на основе жидкого фоторезиста, например сенсибилизированного поливинилциннамата, зкспонй.рования , проявления и термообработки светочувствительного слоя 1 .

Недостатком известного способа является неудовлетворительное качество защитного рельефа, вследствие мацой толщины светочувствительного слоя (2-8 мкм). что приводит к искажению профиля проводников и образованию дендритов металла при гальваническом наращивании 1фоводников, а также перетравам проводников при получении их путем травления. Другим недостатком является то, что использование жидкого фоторезиста затрудняет

механизацию производственных процессов изготовления нтечатных плат,, особенно гфи работе с перфорированными подложками.

Наиболее бJшзким к изобретению по технической сутшгости является способ изготовления защитных рельефов на подложке из фольгированного диэлектрика путем удаления загрязнений с поверхности фольгированного диэлектрика, ламиниротания на него сухого пленочного фоторезиста на основе акриловых MOHONtepoB, зкспонирования фоторезиста и проявления 2

Недостатком известного способа является то, что тфи ламинировании сухого пленочного фоторезиста на границе светочувствительный слой - поверхность фольгированного диэлектрика образуются воздушные включения, содержащие кислород. При дальнейшем зкспонировании фоторезиста кислород ингибирует процесс фотополимёризации на участках светочув- . ствительного слоя, граничащих ;С воздушными включениями. В результате снижается качества защитного рельефа - возрастает неровность края рельефного изображения, а также пористость. Целью изобретения является повышение качества защитного рельефа. Цель изобретения достигается т:ем, что после операции удаления загрязнений на поверхность фолыированного диэлектрика наносят состав, включающий aкpйлoвь й мономер и фотойнициатор при следующем соотнощении компонентов, вес .ч.: Акриловый мономер100 Фотоинищ атор1 - 30. Состав, наносимый на поверхность фолыированного диэлектрика, наряду с акриловым мономером и фотоинициэтором может дополнительно содержать технологические добавки, такие как ускорители фотополимеризации, нагфимер диэтиленгликоль, добавки, регулирующие вязкость состава, например пластификаторы - триацетин, дибутилфталат и другие, растворители, например хлористый метилен, изопрошшовый спирт. В качестве акриловых мономеров могут быть использованы, главным образом, соединения, содержащие в молекуле 1-3 (мет) акрильных остатка, например моноглетакрилат этиленгликоля,тризтиленгликояьдиметакрилат, диметакрилат (бис-этиленгликоль-)-фталат, триметилолпропантриакрилат, пентазритриттриакрилат или их смеси. В качества фотоннициаторов могут быть использованы преимущественно соединения, чувствительные к УФ-иэлучению в области 250-400 нм, такие как 2-трет- бутилантрахинон, кетон Михлера, бензофенон, метиловый эфир бензоина, трихлордифенил или их смеси Применение предлагаемого способа позвол улучшить качество защитного рельефа без изменения существующей технологии их изготовлени, а также конструкции оборудования Предлагаемый способ может использоваться при изготовлении изделий из различных фоль гированных диэлектриков, которые могут бы перфорированными или сплошными, с двухили односторонним покрытием фольгой. Способ может бьггь реализован также при исполь зовании фольгированных диэлектриков, имею щих несплощное (локальное) покрытие фоль гой) . В качестве сухих пленочных фоторезистов могут использоваться, главным образом, негативные фоторезисты, имеющие сухой светочувствительный слой на основе акриловы мономеров толщиной 15-150 мкм, проявителем которых является метилхлороформ или водные растворы. Пример 1. Фольгированный диэлектрик, представляющий собой диэлектрическое основание из стеклотекстолита толщиной мм с наклеенной с двух сторон медной 4 фольгой толщиной 35 мкм, для удаления загрязнений с его поверхности обрабатывают трихлорэтилеиом в течение 2 мин, затем обрабатывают 5%-ным водным раствором серной кислоты в течение I мин и подвергают дополнительной очистке вращающимися щетками из полиамидного волокна в присутствии водно-пемзовой суспензии. Заготовку с очищенной поверхностью промывают водой в течение 2 мин и сушат обдувом воздухом при 30°С в течение 5 мин. На поверхность фолыированного диэлектрика наносят из пульверизатора следующий состав , вес.ч.: Монометакрилат этиленгликоля1002-Трет-Бутилактрахинон1 , Заготовку с нанесенным составом устанавливают в вертикальном положении и дают возможность для стекания избытка жидкости. Затем на поверхность фольгированного диэлектрика наносят сухой пленочный фоторезист на основе триметилолпропантриакрилата, проявляемый 2%-ным водным раствором карбоната натрия. Толщина светочувствительного слоя фото- рбзиста 40 мкм. Нанесения фоторезиста производятся с, использованием валкового ламинатора при температуре нагревательных элементов, равтюй 110°С. Скорость ламинирования 1 м/мин. Фоторезист экспонируют ртутной лампой ДРС-1000 в течение 40 с через фотошаблон, имеющий рисунок проводников с неровностью края не более 3 мкм. Проявление фоторезиста производят на струйной установке 2%-ным раствором карбоната натрия в i течение 1 мин. Неровность края защитного рельефа не превышает Ь 5 мкм. Защитный рельеф, изготовленный по известному способу в тех же условиях, имел неровность края, достигающую 50 мкм. Пример 2. Защитный рельеф изготавливают, как указано в гфимере 1, но на поверхность фольгированного диэлектрика наносят следующий состав, вес.ч.: Триэтиленгликоль диметакрилат70Пентазритриттриакрилат 30 Метиловый эфир бензоина5 Изолропиловый спирт 300. После нанесения и стекания избытка состава фольгированньш диэлектрик выдерживают при 20С в течение 1 ч для испарения растворителя, f Изготовленный защитный рельеф имеет те же показатели, как и в примере 1.