Позитивный светочувствительный состав Советский патент 1980 года по МПК G03C1/68 

Описание патента на изобретение SU731413A1

Изобретение относится к позитивным свето чувствительным составам, которые используются в фотолитографии, полиграфии, лако-красоч ной и других отрас.г1ях промышленности. Известен позитивный светочувствительный состав, применяемьш для фop пIpoвaшIя защитных полимерных масок на поверхности твердых тел, включающий пленкообразующий компонент - фенолформальдегидную смолу, светочувствительный компонент - эфир 1,2 нафтохинондиазид-(2)-5-сульфохлорида и дииодированного 4,4диоксидифенилпропана и органические растворители. Недостатком известного состава является то, что защитные полимерные маски (ЗПМ), сформированные из этого состава на поверхности твердых тел, обладают слабой термостойкостью в условиях ионного и плазмохимического травления полупроводников. Так, сфор мированные из известного состава ЗПМ не допускают локального ионного травления слоев двуокиси кремния при температуре поверхности подложки, превышающей 470° К. Ионное травление слоев твердых тел при малых плотностях ионного тока и, следовательно, низких TeivOiepaTypax поверхности подложки, является непроизводительным процессом. В связи с этим возникает необходимость разработки светочувствительного состава, сформированные из которого ЗПМ допускали бы,возможность травлеюгя слоев твердых тел при повыщенной плотности ионного тока (j-0,5 -1,0 мА), при которой температзфа поверхности подложек достигает 670 К. Цель изобретения - повышение термостойкости ЗПМ в условиях ионного и плазмохимического травления полут1роводников. Поставленная цель достигается тем, что позитивный светочувствительньш состав гшя формирования ЗПМ на поверхности твердых тел, включающей пленкообразующий компонент, светочувствительный компонент - производное 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфохлорида к органические растворители, в качестве пленкообразующего компонента содержит полио-нафтол, а в качестве светочувствительного компонента - эфиры 1,2-нафтохинонлиаэид3 (2}-5-сульфохлорида и иодированшлх или неиодированных поли-а- ифтола и/или 2,4,4-три оксибензофенона при С1 едующем соотношении компонентов, вес.%: Поли-а-нафтол 10-15 Эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2) -5-сульфохлорида и иодарованных или неиодлрованнь Х поли-а-нафтола и/или 2,4,4-триоксибензофенона 5--10 Органические растворителиОстальное В качестве растворителей предложенный состав может содержать диметиловый эфир диатиленгликоля, метилэтилкегои, диметилформамид или их смеси. Предложенный состав позволяет формировать на поверхности полупроводников термоустойчивые ЗПМ, допускаюпдае нагревание подложки до 670 К в процессе локального ионного и плазмохимического травления твердых тел. В табл. 1 даны примеры позитивных светочувствительных составов. Таблица 1

Похожие патенты SU731413A1

название год авторы номер документа
Позитивный фоторезист 1978
  • Балашова Надежда Григорьевна
  • Тимерова Нелли Дмитриевна
  • Мозжухин Дмитрий Дмитриевич
SU781745A1
Позитивный фоторезист 1981
  • Архипова Анджелика Сергеевна
  • Баранова Елена Максовна
  • Егорова Лариса Александровна
  • Новотный Станислав Иосифович
  • Эрлих Роальд Давидович
SU1068879A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ 1970
  • Изо Бретени
  • М. С. Динабург, А. В. Лубашевска В. А. Динабург, Ю. В. Глухова, И. Хорина, Л. А. Катаева Г. К. Гурь Нова
SU276734A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 2010
  • Афанасьев Михаил Мефодъевич
  • Эрлих Роальд Давидович
  • Беклемышев Вячеслав Иванович
  • Махонин Игорь Иванович
  • Филиппов Константин Витальевич
RU2427016C1
ПОЗИТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ 1994
  • Ванников А.В.
  • Гришина А.Д.
  • Кольцов Ю.И.
  • Кудрявцев Е.Н.
  • Тедорадзе М.Г.
  • Хазова Г.О.
RU2100835C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА1 1973
  • Известен Способ Получени Светочувствительнога Материала Нанесением Подложку Светочувствительного Сло Включающего Полимер Хиноидиа Зидными Группами, Присоединенными Цепи Полимера Через Атом Азота, Органический Растворитель Примен Соединени Нилового Акрилаты, Мета Крилаты, Стирол Цель Изобретени Получение Светочувствительного Материала Широким Диапазоном Растворимости При Про Влении Предлагаетс Качестве Полимера Примен Полимер Или Сополимер Аминости Рола, Содержащий Тювтор Ющиес Звень
  • Атом Водорода Или Алкил Числом
  • Груп Хинондиазид Ный Остаток
  • Повышени Проч Ности, Долговечности Или Сопроти Емости Отношению Про Вителю Светочувствительный Слой Ввод Термопластичную Плен Кообразующую Смо Количестве Вес Количества Полимера Или Сополимера Аминостирола
  • Предлагаемые Пленкообразующие Полиме Обычно Имеют Мол Подход Щими Этиленненасыще Нными, Способными Полимеризации Соединени Ми, Которые Огут Вступать Реакцию Сополимеризации Аминостиролом, Ютс Например, Сти Рол, Акрилаты, Винилгалогениды, Виниловые Эфиры, Винилкетоны, Эфиры Дивинила, Акрп Онитрил, Смешанные Амидоэфиры Малеино Ангидрид, Бутадиен, Изопрен, Хлор Опрен, Дивинилбензол, Производные Акрило Вой Мета Криловой Кислот, Например Нитрилы, Амиды Эфиры, Этилен Изобутилен Соотношение Мон Омеров Выбирают Ким Образом Чтобы Количество Аминостирола Состн Менее Веса Полученного Сопо Лимера
SU379110A1
Способ получения негативного изображения на позитивном фоторезисте 1978
  • Бузуев Михаил Васильевич
  • Федоров Юрий Иванович
  • Егорочкин Алексей Николаевич
  • Воскобойник Ганна Александровна
  • Разуваев Григорий Алексеевич
SU1109708A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА СВЧ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ 2022
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Котекин Роман Александрович
  • Рогачев Илья Александрович
  • Добров Александр Вадимович
RU2793658C1
Позитивный фоторезист 1973
  • Парамонов Александр Иванович
  • Прохоцкий Юрий Михайлович
SU451978A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА 1966
  • Лаврищев В.П.
  • Беляков В.М.
  • Боков Ю.С.
  • Малышева Н.С.
  • Белякова А.П.
  • Морозова Р.А.
  • Скуковская В.Д.
  • Яровая Г.Д.
SU216450A1

Реферат патента 1980 года Позитивный светочувствительный состав

Формула изобретения SU 731 413 A1

Поли-а-нафтол

Эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2)-5-сульфохлорида и иодированного или неиодированного 2,4,4,-триоксибензофенона

Эфир 1,2-нафтохинондиазид- (2}-5- сульфохлорида и иодированного или неиодарованного поли-а-нафтола Диметиловый эфир дизтилг1школя

Метилэтилкетон

Диметилформамид

Слои толщины 0,3-1,5 мкм из указанных в табл. 1 светочувствительных составов формируют методом центрифугирования и сушки в течение 0,5 ч при температуре, не превышающей 363 К на окисленной полированной поверхности пластин кремния. Экспонирование через фотомаску осуществляют излуче1шем лампы марки ДРШ-500 (Е 4-10 лк). Рельеф

Средняя плотность сквозных микродефектов, мм

Температура поверхности пластины в условиях травления слоя двуокиси кремзшя h 0,46 мкм со скоростью 0,2 мкм. мин ° С

Уход трехм}п ронных размеров при ионном травлении слоя h 0,46 мкм слоя двуокиси кремния, %

12,5

15

12,5

10

7,5

Ш

7,5

2,5 50

50

30

40

40

30

проявляют 0,6%-ным водным раствором КОН в течение 1-8 мин и термоструктурируют на воздухе при постепенном подъеме температуры до 443 К со скоростью 1,5 град-мин .

В табл. 2 даны характеристики ЗПМ толндины h 1,0 мкм, сформированнь1х из составов

табл. 1.

Таблица 2

0,050,040,03

0.05

400 . 400400

400

10

5

ЗИМ иочноияют локально травить в течение нескольких (единиц) минут слой диуокиси . кремния (h 0,46 мкм) и слой хрома (h 0,06 мкм) ионалти аргона на установке марки УВН-75Р-1 при следующих режимах амплитудное значение высокоча.стотного напряжения на поверхности подложки - 0,5-1,5 кВ; постоянный ток разряда в аргоне - 4-8 А; амплитудное значение высокочастотного тока 0,2-0,8 А; давление аргона (1-8)-l6 торр.

Локальные дефекты в слоях двуокиси кремния и хрома, защищенных ЗПМ, в упомянутых режимах травления не возникают. ЗПМ после ионного травления удаляют в плазме кислорода в течение 8 мин. Эти данные свидетельствуют о том, что применение сфорлшрованных из предложенного состава ЗПМ позволяет сущест-венно повысить производительность процесса локального ионного травления слоев твердд 1х тел.

К преимуществам предложенного состава следует отнести то, что сформированные из него ЗПМ позволяют травить в течегше десятков мин на установке марки УВП-2в плазме фреона слои (h 0,46 мкм) окисла кремния, сформированные на поверхности пластины кремния, при следующих режимах: значерше высокочастотного тока разряда в аргоне 0,2-0,8-А; давление фреона (0,1-5,0) мощность высокочастотного излучения, необходимая для поддержания разряда в фреоне, -- 0,5-1,5 кВт. К преимуществам предложенного светочувствительного состава следует также отнести повышенную, по сравнению с известным (250 периодов на мм), разрешающую способность

36

(табл. 2). чк) птволит использовать прея1ожснный светочувствительный с(ктав также при изготовлении фотоматериалов для спектроскопии. Последнее обусловлено тем, что возникающая в процессе возбуждения актиничным излучением поли-а-нафтола лю raнecцeнция не поглощается 1,2-нафтохииондиазид-(2 5-сульфогруппой.

Формула изобретения

Позитивный светочувствительный состав для формирования защитных полимерных масок ка поверхности твердых тел, включающий пленкообразующ}1Й KONfflOHeHT, светочувствительный компонент - производное 1,2-нафтохинондиазид-(2) - 5-сульфохлорида и органические растворители, отличающийся тем, что, с целью повышения термостойкости защитных полимерных масок в условиях ионного и плазмохимического травления твердых тел, он содержит в качестве пленкообразующего компонента по ли-а-нафтол, а в качестве светочувствительного компонента - эфиры 1,2-нафтохинондиазид- (25-5-сульфохлорида и иодированных или неиодированных поли-а-нафтола и/или 2,4,4-триоксибензофенона при следующем соотнощении компонентов, вес. %:

Поли-о-нафтол10-15

Эфир 1,2-нафтохинондиазид-(2)- 5-сульфохлорида и иодированных или неиодированных поли -а-нафтола и/или 2,4,4-триоксибензофенона5 - 10 Органические растворители Остальное ,

SU 731 413 A1

Авторы

Мартыненко Александр Павлович

Алиев Видади Юсиф Оглы

Журавлев Георгий Иванович

Рагимов Адалат Вилаят Оглы

Минаждинова Галина Константиновна

Рагимов Ибрагим Ислам Оглы

Мозжухин Дмитрий Дмитриевич

Заумыслов Юрий Васильевич

Даты

1980-04-30Публикация

1976-06-07Подача