СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА Советский патент 1968 года по МПК G03F7/00 

Изобретение относится к способам получения светочувствительных составов - фоторезистов, используемых для фотолитографического метода создания изделий электронной техники.

Известны в качестве позитивных фоторезистов продукты конденсации полигидроксилсодержащих соединений с сульфохлоридами нафтохинондиазидов. При этом используются в качестве исходных полимеров поливиниловый спирт, фенолформальдегидные смолы, резорцинформальдегидные смолы, смолы на основе бисфенола А и формальдегида, частично эпоксидированные фенольные смолы.

Однако подобного рода фоторезисты в ряде случаев не удовлетворяют технологическим требованиям. В некоторых технологических процессах, как например при травлении кремния, германия, сплавов МЛТ, золота и т.д., требуется более высокая стойкость к действию травителей и адгезия.

Предложенный способ дает возможность получить фоторезист, имеющий более высокую стойкость к действию агрессивных сред, хорошую адгезию и повышенную термостойкость по сравнению с существующими фотосоставами.

Это достигается тем, что полимерную основу фоторезиста получают конденсацией сульфохлорида нафтохинондиазида с дифенилоксиднофенольной смолой

Использование дифенилоксиднофенольной смолы для получения позитивного фоторезиста приводит к созданию продукта, обладающего более высокой химической стойкостью, чем, например, фоторезисты на основе фенолформальдегидных смол, более высокой термостойкостью и адгезией. В то же время успешно решается вопрос о снятии фоторезиста после его использования (обычная обработка растворителем - диоксаном, ацетоном, спиртом).

Полученный предложенным способом продукт можно применять для изготовления микросхем (при травлении сплава МЛТ, золота, Ti, Cr, Ni, Cu), твердых схем и транзисторов при изготовлении печатных схем.

Способ заключается в том, что дифенилоксиднофенольная смола, полученная при конденсации фенола и дихлорметильного производного дифенилоксида в соотношении 3:1 или 2:1 моль, обрабатывается сульфохлоридом нафтохинондиазида (при молярном соотношении 1-0,8 лучше 1-0,5-0,6) в среде диоксана и щелочной среде. Продукт конденсации выделяют осаждением водой, тщательно промывают, сушат до постоянного веса. Далее готовят раствор смолы в подходящем растворителе, например диоксан, ацетаты (концентрация раствора 5-15%), и раствор наносят на подложку. Возможно также добавление в раствор дифенилоксидной смолы в количестве 150-200% от веса исходного продукта.

Толщина сформировавшейся пленки полимера определяется технологическими нуждами и в большинстве случаев колеблется в пределах 0,3-2 мк.

После экспонирования под УФ-светом через негатив полимер в местах облучения растворяется в воднощелочных растворах и на поверхности подложки образуется рельефное защитное изображение, которое позволяет проводить дальнейшие технологические операции (например, травление, гальваническое и химическое осаждение).

1. Способ получения позитивного фоторезиста, заключающийся в приготовлении раствора полимера, содержащего нафтохинондиазидные группы, отличающийся тем, что, с целью повышения химической стойкости, термостойкости и адгезии фоторезиста, используют в качестве полимерной основы продукт конденсации сульфохлоридов нафтохинондиазидов, например, сульфохлорида-(5)-нафтохинон-(1,2)-диазида, и дифенилоксиднофенольной смолы.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что используют в качестве полимерной основы продукт конденсации сульфохлорида-(5)-нафтохинон-(1,2)-диазида и дифенилоксиднофенольной смолы в смеси с дифенилоксиднофенольной смолой в соотношении 1:0,5÷2,5 вес. ч.