Способ неразрушающего контроля диэлектрических материалов Советский патент 1980 года по МПК G01N27/02 

Изобретение относится к способам неразрушающего контроля материалов и может быть использовано преимущественно в машиностроении. Кроме того, возможно применение такого способа в других областях промьвхшенности, например строительной, где используются неметаллические материалы. Известен злектроемкостный способ контроля с односторонним доступом к контролируемой поверхности, заключаю щийся в наложении электрического поля конденсатора на исследуелмй объек и определении физико-химических характеристик материала объекта по замеренньлм параметрам конденсатора lj Однако этот способ обладает существенным недостатком - мо.лой чувствительностью, так как полезный сигнал по величине одного порядка. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ определения физико-химических характеристик вещества, заключающийс в определении характеристик материала по параметрам конденсатора, между пластинами которого размещают исследуемый материал 2 . Известный способ не лишен вышепеечисленных недостатков, к которым следует еще отнести и сложность обработки полезного сигнала, так как требуются дополнительные операции, а именно замер емкости до достижения заданной частоты настройки контура; определение поправки на влияние приведенного сопротивления потерь; введение этих поправок в результат измерения и т.д. Целью- изобретения является повышение чувствительности емкостного способа контроля, расширения пределов применения его, повышение производительности контроля. Цель достигается тем, что в известном способе емкостного контроля, заключающемся в определении характеристик материала по замеренным параметрам конденсатора, предварительно к поверхности одного из электродов прижимают пьезоэлектрический преобразователь, с электродов которого снимают полезный сигнал и устанавливают необходимый зазор между исследуемым объектом и пьезоэлектрическим преобразователем. На чертеже представлена схема предлагаемого способа контроля. На схеме изображены пластины 1 конденсатора, исследуемый объект 2, генератОр 3, пьезоэлектрический преобразователь 4, усилитель 5, показывающий прибор 6. Пластины 1 конденсатора электричес ки связаны с генератором 3, который создает импульсное поле в зазоре между пластинами. Перед контролем одной из пластин 1 конденсатора(например j электрически связанного с землей) при жимают пьезоэлектрический преобразова тель 4 и устанавливают определенный зазор между исследуемым объектом 2 и пьезоэлектрическим преобразователем 4 Пой воздействием импульсного поля пьезоэлектрический преобразователь 4 возбуждается, на его электродах созда етея ЭДС, которую измеряют показывающим прибором 6 через усилитель 5,При изменении физико-химической характеристики исследуемого объекта, например понижении локальной плотности, наличии воздушной прослойки и т.д., импульсное поле в зазоре между пластинами конденсатора перераспределяетс в результате чего на пьезоэлектрический преобразователь будет воздействовать другая по величине напряженность возбуждение его изменится и показываю щий прибор зафиксирует другое значение ЭДС. Формула изобретения Способ неразрушакчдего контроля диэлектрических материалов, заключаквдийся в определении характеристик ма,териала по параметрам конденсатора, между пластинами которого размещают исследуемый объект,отличающ и. и с я тем, что, с целью повышения чувствительности, и повышения производительности контроля, предварительно к поверхности одной из пластин конденсатора прижимают пьезоэлектрический преобразователь, при этом выдерживают необходимый зазор с объектом исследования и измеряют сигнал, снимаемый с пьезоэлектрического преобразователя. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе . 1.Митис И.Г. Электроемкостные преобразователи для неразрушающего контроля. Рига, Знание, 1977, с.39-41. 2.Авторское свидетельство СССР № 339852, кл. G 01 N 27/02, 1970 (прототип).