Выращивание кристаллических блоков, ориентированных в направлении основных кристаллографических направлений, не вызывает существенных трудностей.
Однако выращивание кристаллических блоков «косого среза обычно ие удается и выращенные блаки получаются мутными. При выращивании кристаллических блоков «косого среза, стороны которых составляют углы в 45° с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку «косого среза, которую располагают на, дне кристаллизатора между ограничивающими стенками. Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значительна по площади и расположена крайне неблагоприятно.
Предлагаемый способ выращивания блоков «косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является чистым.
Отличительная особенность нового способа заключается в том, что применяют кристаллическую затравку, вырезанную параллельно грани В кристалла и установленную под углом 45° к ограничивающим стенкам формы (фиг. 3).
Предмет изобретения
Способ выращивания блоков «косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, отличающийся тем, что затравка кристалла устанавливается под углом 45° к ограничивающим стенкам формы.
f1Ljmнaя were, kpucmanna
SampaSka
