Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия Советский патент 1984 года по МПК C30B7/00 C30B29/54 

Описание патента на изобретение SU1089178A1

Изобретение относится к выращиванию кристаллов виннокислого калия, используемых в качестве пьезоэлектрических резонаторов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является известный способ выращивания кристаллов с заранее заданным направлением кристаллографических осей посредством затравки, расположенной требуемым образом 1.

Пьезоэлектрические резонаторы из кристаллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэтому выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.

Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучщения их качества.

Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из кристаллов виннокислого калия с заранее заданным направлением кристаллографических осей и

применением кристаллической затравки. Отличие изобретения состоит в том, что кристаллографическую затравку помещают в форму, стороны которой ориентированы под нужным углом к граням кристалла.

На фиг. 1 показана схема ориентирования затравки среза Z- 45°; на фиг. 2 - схема расположения затравки в форме для выращивания.

Способ осуществляют следующим образом.

Пример. На чертежах обозначены затравка 1 и форма 2 для выращивания. Из кристалла виннокислого калия (фиг. 1) вырезают ориентированную пластину. Затем ее укладывают в форму (фигю 2) и проводят выращивание кристалла.

Подобным способом удается выращивать соверщенно чистые, лищенные внутренних пороков кристаллические блоки нужной ориентировки, например, блоки для пластин среза Z - 45° и среза Z - 37,5°.

В то время, как выращивание однородных кристаллов виннокислого калия полной формы является крайне трудной задачей, выращивание блоков данного кристалла происходит значительно легче и не сопровождается появлением трещин и помутнений обычных при выращивании целых кристаллов.

Таким образом достигается облегчение получения кристаллов и улучщение их качества.

Похожие патенты SU1089178A1

название год авторы номер документа
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА 1998
  • Кацман В.И.
RU2133307C1
Способ выращивания блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли 1948
  • Поздняков П.Г.
SU78449A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2000
  • Кремпл Питер
  • Валльнефер Вольфганг
  • Криспел Фердинанд
  • Таннер Герберт
RU2194100C2
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101189A1
Способ выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101179A1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР 1997
  • Кацман В.И.
RU2136789C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ПЕРЕХОДА ДЖОЗЕФСОНА 1997
  • Алаудинов Багомед Магомедович
  • Ковьев Эрнст Константинович
  • Куприянов Михаил Юрьевич
  • Поляков Сергей Николаевич
RU2107358C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА 1993
  • Романов Л.Н.
  • Булавин П.Ф.
  • Сопелева Е.Г.
  • Хаджи В.Е.
  • Евсеева И.Б.
  • Гордиенко Л.А.
RU2057210C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ САПФИРОВОЙ ЗАТРАВКИ, А ТАКЖЕ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА С ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНОЙ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ ОРИЕНТАЦИЕЙ И ВНЕШНИХ ДЕТАЛЕЙ И ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ КОМПОНЕНТОВ ДЛЯ ЧАСОВОГО И ЮВЕЛИРНОГО ДЕЛА 2022
  • Коше-Муши, Дидье
  • Бериша, Насер
  • Вюиль, Пьерри
RU2802604C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 1999
  • Дороговин Б.А.
  • Степанов С.Ю.
  • Цеглеев А.А.
  • Лаптева Г.А.
  • Дубовский А.Б.
  • Горохов В.П.
  • Царева Н.Б.
  • Курочкин В.И.
  • Миронова В.В.
  • Филиппов И.М.
RU2143015C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 089 178 A1

Реферат патента 1984 года Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ БЛОКОВ КОСОГО СРЕЗА ИЗ КРИСТАЛЛОВ Ct) ВИННОКИСЛОГО КАЛИЯ с заранее заданным направлением кристаллографических осей с применением кристаллической затравки, отличающийся тем, что, с целью облегчения получения кристаллов и улучшения их качества, кристаллографическую затравку помещают в форму, стороны которой ориентированы под нужным углом к граням кристалла. СО Cfeгi-tS 00 о оо

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1984 года SU1089178A1

Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Способ регенерации каучука 1927
  • Попов А.П.
SU9418A1
Способ обработки медных солей нафтеновых кислот 1923
  • Потоловский М.С.
SU30A1

SU 1 089 178 A1

Авторы

Штернберг Алексей Александрович

Поздняков Петр Григорьевич

Даты

1984-04-30Публикация

1949-11-14Подача