Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов Советский патент 1955 года по МПК C30B7/00 C30B29/14 

Описание патента на изобретение SU100988A1

Фосфат аммония (оуднозамещенная аммонийная соль ортофосфорной кислоты) образует прозрачные бесцветные кристаллы, относящиеся к тетрагонально-скальеноэдрическому классу симметрии и имеющие вид призм квадратного сечения, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами.

Фосфат аммония принадлежит к группе веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом кристаллов.

В 4acTHOCTi, одной из главных особенностей образования кристаллов фосфата аммония является очень большое различие скоростей роста граней призмы и пирамиды. В то время как грани пирамиды хорошо и быстро растз т, роста кристалла в направлении граней призмы практически не происходит, вследствие чего из раствора образуются длинные вытянутые вдоль оси С кристаллы игольчатого вида, имеющие малое сечение. Между тем для практических целей требуются кристаллы большого сечения.

Как известно, для иромышленного выращивания кристаллов весьма важен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяюшдй выращивать однородные

лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, определяемые требованиями производства.

Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.

В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как указывалось, имеют вргд призм квадратного сечеггия, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами, стержневая затравка вырезается таким образом, чтобы ее длина была параллельна одному из ребер, образованному пересечением соседних граией пирамиды. Такая ориентировка стержневой затравки представлена на чертеже.

Предлагаемая ориентировка стержневой затравки дает начало образованию комплекса из четырех граней пирамиды, которые, быстро развиваясь, вскоре приводят к образованию широкого полной формы кристалла, поперечник которого имеет

размер, составляющий около 0,6 от длины стержня, взятого в качестве зaтpaвкJ|f ;i)

Дм е т изобретения

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторокким ростом, преимущественкс кристаллов фосфата аммония.

путем вырезания из кристалла стержней заготовок, отличаюHI, и и с я тем, что, с целью получения кристаллов с большим поперечным сечением стержнеобразную затравку вырезают из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней (в частности - параллельно ребру пирамиды в случае использования фосфата аммония).

Похожие патенты SU100988A1

название год авторы номер документа
Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов виннокислого калия и способ выращивания последних из этих затравок 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101189A1
Способ выращивания кристаллов 1952
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU101179A1
Способ крепления проволочных держателей к пьезоэлектрической пластине 1949
  • Поздняков П.Г.
  • Штернберг А.А.
SU91033A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СИНТЕТИЧЕСКОГО КВАРЦА 2001
  • Гордиенко Л.А.
  • Дороговин Б.А.
  • Орлов О.М.
  • Полянский Е.В.
  • Цинобер Л.И.
  • Шванский П.П.
RU2186885C1
Способ выращивания блока "косого" среза из кристаллов сегнетовой соли 1948
  • Поздняков П.Г.
SU78449A1
Способ выращивания кристаллов кварца или аметиста или друз аметиста гидротермальным методом температурного перепада в водных растворах фторида аммония 2018
  • Балицкий Владимир Сергеевич
  • Балицкая Людмила Васильевна
  • Балицкий Денис Владимирович
  • Семенченко Сергей Петрович
  • Гуменный Михаил Васильевич
RU2707771C1
Способ выращивания блоков косого среза из кристаллов виннокислого калия 1949
  • Штернберг Алексей Александрович
  • Поздняков Петр Григорьевич
SU1089178A1
Способ и устройство для выращивания кристаллов 1947
  • Штернберг А.А.
SU72182A1
Способ выращивания кристаллов 1947
  • Поздняков П.Г.
SU98040A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРУПНЫХ КВАЗИМОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ 2006
  • Нижельский Николай Александрович
  • Полущенко Ольга Леонидовна
  • Матвеев Валерий Александрович
RU2335037C2

Иллюстрации к изобретению SU 100 988 A1

Реферат патента 1955 года Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов

Формула изобретения SU 100 988 A1

SU 100 988 A1

Авторы

Поздняков П.Г.

Штернберг А.А.

Даты

1955-01-01Публикация

1952-01-07Подача