Резистивный материал Советский патент 1980 года по МПК H01C7/06 H01B1/00 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

1

Изобретение относится к области электротехники в частности к разработке резистивных материалов с температурнЕ 1М коэффициентом электросопротивления (ТКС), близким к нулю, которые могут использоваться в низкоомных {1-10 Ом) резисторах.

Известен материал на основе карбида ванадия, состава .:.o,i55Недостатком указанного материала является то, что в области температур 25-1000°С его температурный коэффициент электросопротивления полржителен (абсолютное электросопротивление изменяется в пределах 0,65- IjS-lO Ом-см), что не позволяет использовать его в объемных резисторах.

Наиболее близким по технической сущности является резистивный материал, включающий порошок ванадия и окисел ванадия.

Однако температурный коэффициент сопротивления известного материала является положительной величиной и диапазон удельного сопротивления недостаточно широк.

Цель изобретения - снижение температурного коэффициента сопротивления и расширение диапазона удельногоэлектросопротивления.

Предлагаемый резистивный материал готовят следующим образом.

Рассчитанные количества исходных карбида ванадия VGOg(j и окисла ва надия тща,тельно перемешивают, брикетируют и спекают в атмосфере инертного газа (Рц.ц, 760 мм рт.с при 1500°С в течение 10-15 ч с .перебрикетировкой через 5 ч спекания.

10 Из полученного оксикарбида ванадия изготовляют штабик размером 5хЗх х15 (мм) наносят на образец электроконтакты, а затем измеряют температур ную зависимость удельного электросопротивления и рассчитывают ТКС.

Метод приготовления резистивного матер(1ала предлагаемого состава с различным содержанием компонентов и их основные характеристики приведены

20 в примерах.

Пример 1. Для приготовлени4. оксикарбида ванадия смешивают и брикетирую 72,4 вес.% карбида ванадия, 13,15 вес.% полутораокиси V 0 ,

25 14,45 вес.% металлического порошкового ванадия. Брикет спекают в атмосфере инертного газа (Рце 760 мм. рт. ст.) при 1500°С в течение 15 ч с перебрикетировкой через

30 5 ч спекания. Получают оксикарбид соч

тава о . Его электросопротивление , измеренное на лабораторной установке в интервале температур 25-1000°С, изменяется в пределах 4,10-4,13- 10 0м-см. Температурный коэффициент электросопротивления (ТКС) практически равен нулю.

В интервале температур 25-lGOO c удельное электросопротивление изменяется от 4,98 до 5,00.

Пример 2, Берут 18,6 вес.% карбида ванадия, 65,52 вес.% прлутораокиси VfjO и 16,42 вес.% металлического порошкового ванадия. Проводя операции аналогично примеру 1, получают оксикарбид состава с практически нулевым ТКС.

Из результатов испытаний следует, что предлагаемый токопроводящий материал имеет ТКС близкий к нулю в интервале температур 25-lOOO C. Таким образом, при вакуумной изоля-ции предлагаемого материала возможна работа резисторов объемного типа на его основе при 25-1000°С.

Формула изобретения

Резистивный материал, включающий порошок ванадия и окисел ванадия, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного электросопротивления, в качестве окисла ванадия он содержит полуторную окись ванадия и дополнительно содержит карбид ванадия при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Полуторная окись ванадия13,15-65,52

Карбид ванадия 18,06-72,40 Порошок ванадия Остальное.