Резистивный материал Советский патент 1980 года по МПК C22C27/02 H01B1/02 

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

1

Изоъретение относится, к области - радиотехники и может быть использовано при изготовлении переменных низкоомных металло-пленочных резисторов и плавнопеременных аттенюаторов.

В известных резистивных элементах в качестве резистивного материала для уменьшения контактного сопротивления использованы пленки благородных металлов, например, палладия Однако этот материал не обеспечивает требуемой износоустойчивости.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является резистйвный материал, используемый для создания постоянных металлопленочных резисторов с низким температурным коэффициентом сопротивления и высокой стабильностью. Он содержит от 50 до 90 вес.% металла, выбранного из группы:платина,родий,иридий, палладий, золото, серебро и не менее, чем два металла выбранных из группы: вольфрам, рений, тантал, молибден, гафний, цирконий, ниобий в количестве от 10 до 50 вес.% 2.

Однако использование этого сплава в тонкопленочных переменнызЕ резис-. торах не позволяет получить высокую

износоустойчивость резистивных элементов, так как его основу 50-90% составляет относительно мягкий низ-коомный благородный металл. 5 Цель изобретения - повышение износоустойчивости .

Для достижения поставленной цели резистйвный материал, содержащий тантал и палладий, содержит исходные 10 компоненты в следующем соотношении, вес.%:

Тантал55-94

Палладий6-45.

Содержание палладия в слое за 15 пределами 6-45 вес.% приводит к значительному ухудшению свойств материала. Например, уменьшение содержания палладия до 3 вес.% при прочих равных условиях приводит к возрастанию 20 контактного сопротивления до 21 Ом, а увеличение содержания палладия до 50 вес.% ведет к потере износоустойчивости. Необратимое относительное изменение сопротивления резистив25 ноге слоя с 50%-ным содержанием

палладия достигает 15% через 100000 перемещений подвижного контакта.

Нанесение тонкопленочных слоев из предлагаемого резистивного мате30 рисша осуществлялось на подложке из

ситалла путем одновременного испарения в вакууме из отдельных источников- массивного тантала и палладия, причем испарение тантала производилось из электронно-лучевого испарителя, а палладия - из резистивного. Давление остаточных газов в вакуумной камере составляло 1, 3 . В процессе напыления контролировалас температура подложки, скорость испарения тантала и палладия, а также

сопротивление осаждаемой пленки .по контрольному образцу. Варьируя скоростями осаждения тантала и палладия, получали пленки резистивного материала с различным соотношением компонентов.

Основные характеристики пленок, полученных из предлагаемого резистивного материала с различным содержанием тантала и палладия, приведены в таблице.