Способ и устройство контроля про-цЕССОВ КРиСТАллООбРАзОВАНия B CAXAP-НыХ уТфЕляХ Советский патент 1981 года по МПК G01N21/85 

между фотоприемником и осветителем, засахариванию стекол устройства и выходу его из строя. Кроме того не обеспечивается необходимая точность и надежность контроля процессов кри таллообразования.

Цель изобретения - повышение точ нести и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования.

Указанная цель достигается тем, что контроль процессов первичного и вторичного кристаллообразования осуществляют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.

Кроме того перед измерением повышают пересыщение раствора путем охлаждения.

Для осуществЯения способа предна

начено устройство, содержащее источники света и сравнительный и измертельный фотоэлементы, включенные по мостовой схеме, отличающеес я тем, что в него введена циркуляционная труба с охлаждающей рубашкой и оптическими окнами осветителей и фотоэлементов, оптические оси которых расположены в пределах 5-80° по отношению к нормали оптического окна.

На чертеже изображено устройство контроля процессов кристаллообразования.

Устройство состоит из циркуляционной трубы 1, снабженной охлаждающей рубашкой 2, двух-сравнительного и измерительного фотодатчиков, установленных до и после охлаждающей рубашки и состоящих из осветителей 3,4, фотоэлементов 5,6, окон 7,8, линз 9,10 и шестеренчатого насоса 1.1 с электродвигателем 12. Величина охлаждения раствора регулируется прибором 13 , получающим сигналы с датчиков .14,15 температуры, и управляющих регулирующим вентилем 16.Сигналы с фотоэлементов поступают на прибор 17 контроля процессов кристаллообразования. Устройство присоединяется к вакуум-аппарату с помощью фланцев 18,19.

Устройство работает следующим образом.

Часть увариваемого в вакуум-аппа рате раствора отбирается с помощью шестеренчатого насоса 11 в циркуляционную трубу 1, где в результате подачи охлаждающей воды в рубашку 2, этот раствор охлаждается. Понижение температуры раствора, находящегося в метастабильном состоянии, приводит к повышению его пересыщения и увеличению вероятности образования в нем кристаллических зародышей. При заданной скорости циркуляции раствора по контуру происходит опережение процесса уваривания утфеля в вакуум-аппарате по Пересы.щению. в критический момент уваривания, когда в вакуум-аппарате пересыщение поднимается до границы метастабильной зоны, в контуре опережения в районе измерительного фот.одатчика, в результате достижения этой границы возникают кристаллические центры. В вакуум-аппарате самопроизвольное кристаллообразование начинается через. 3-10 мин поеле этого.

Для увеличения точности измерений которая достигается путем yqтpaнeния зеркальной компоненты отраженного светового потока, на фотоэлементы на правляют только диффузионно-отраженные лучи, размещая осветители 3,4 и фотоэлементы 5,6 в плоскостях, углы которых относительно нормали с оптических окон 8,9 отличаются на . При появлении кристаллов в растворе 0 появляется разность в сигналах сравнительного и измерительного фотоэлементов, по величине которой судят о концентрации кристаллов в растворе. Наперед заданная величина сигнала по муке определяет момент заводки кристаллов в аппарат.

Аналогичныгл образом производится контроль вторичного кристаллообразования. Возникшие в результате повышения пересыщения вторичные кристаллы и мука изменяют величину отраженного света, что служит сигналом к изменению режима уваривания утфеля в аппарате с целью поддержапия его на оптимальном уровне, на границе вторичного кристаллообразования.

При этом отраженный свет от первичных кристаллов в измерительном датчике компенсируется таким же количеством отраженного света в компенсационном.

Предлагаемое устройство может контролировать не только наличие кристаллических центров, но и их количество, что позволяет выбирать оптимальные режимы заводки кристаллов и уваривания утфеля в аппарате, при э-гом увеличивается надежность устройства по сравнению с известным,Формула изобретения

1.Способ контроля процессов кристаллообразования в сахарных утфелях по измерению дифференциальной интенсивности двух световых потоков , прошедших раствор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности контроля процессов первичного и вторичного кристаллообразования, контроль осуществляют по измерению дифференциальной интенсивности двух диффузно отраженных световых потоков.