СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ШОТТКИ Советский патент 2012 года по МПК H01L21/18 

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n⁺-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности эпитаксиальной пленки предварительно выращивают слой термического окисла, фотолитографией вскрывают кольцеобразные области, окружающие будущие контактные области, во вскрытых областях создают р-слой, вытравливают канавки в этих областях плазмохимическим травлением или методом распыления и заполняют канавки изолирующим материалом.