Способ измерения толщины слояКРАТНОгО ОСлАблЕНия РЕНТгЕНОВСКОгОизлучЕНия Советский патент 1981 года по МПК G01N23/02 

Описание патента на изобретение SU834472A1

(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛ1Щ1НЫ СЛОЯ КРАТНОГО ОСЛАБЛЕНИЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ зиции выбирают равным 1 (п-1), где п - требуемая кратность ослабления, а толщину слоя кратного ослабления определяют по одинаковой плотности почернения участков пленки под клином и открыто экспонированного в те чение одной из экспозиций участка пленки. Способ реализуется следующим образом. На рентгеновскую фо,опленку накл дывают измерительный . Оставшую ся часть пленки закрывают свинцовой пластиной. Производят экспонировани пленки в течение определенного пери ода времени. Затем свинцовую пласти убирают и производят повторное эксп нирование той же пленки в течение, другого заданного периода времени. Затем пленку проявляют и получают на ней неравномерно засвеченный участок под клином и равномерно зас веченный участок под свинцовой пластиной (если рассматривать съемк при первой экспозиции), во время второй экспозиции бвш открыт. При работе в области пропорци ональности почернения и при постоян ной интенсивности первичного пучка почернение под каким-либо выбранным участком клина будет равно .D; k 3;0(t + tj), где 3j - интенсивность прешедшего через данный участок клина пучка t и tn- времена первой и второй экспозиции, а почернение другого участка будет равн DO k 4i где Зо - интенсивность первичного рентгеновского пучка. При этом на пленке .будут участки с равным почернением, в результате чего Л; /:а t. (t + t ) для указанных участков, и, зная времена экспозиций и толщину клина на участ ке с равными почернениями, можно сразу определить кратность ослабления и толщину соответствующего слоя В частном случае, при равенстве первой и второй экспозиции, таким образом получают слой половинного поглощения. Для получения толщины слоя заданной кратности ослабления tj /t выбирают равным 1 (п-1), где п - заданная кратность ослабления. Преимущество такого метода заключается в том, что можно произвести непосредственное визуальное сравнение двух соседних участков почернения на одной пленке, не используя фотометрического оборудования. Предлагаемый способ может, использоваться при регулировании напряжения рентгеновского излучателя по величине слоя половинного поглощения,быстро и просто определять параметры фильтров для получения требуемого ослабления излучения, исследовать защитные свойства материалов от проникающего излучения. Формула изобретения СШособ измерения толщины слоя кратного ослабления рентгеновского излучения, заключающийся в том, что производят экспонирование рентгеновской пленки, частично накрытой измерительным клином, и по почернению пленки на различных участках определяют толщину слоя кратного ослабления, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью упрощения средств реализации производят дополнительное.экспонирование рентгеновской пленки, частично накрытой измерительным клином, остальная часть которой экранирована от излучения, например, с помощью свинцовой пластины, причем отношение времен первой и дополнительной экспозиции выбирают равным 1 (п-1), где п требуемая кратность ослабления, а толщину слоя кратного ослабления определяют по одинаковой плотности почернения участков пленки под клином и открыто экспонированного в течение одной из экспозиций участка пленки. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Шмелев В.К. Рентгеновские аппараты. М./ Энергия, 1973, с. 27. 2.Дмоховский В.В. Основы рентгенотехники. М., Медгиз, I960, с. 251252 (прототип).

Похожие патенты SU834472A1

название год авторы номер документа
Способ управления работойРЕНТгЕНОВСКОгО АппАРАТА 1979
  • Мишкинис Надежда Григорьевна
SU833203A1
Устройство для калибровки анодного напряжения рентгеновского аппарата по слою кратного ослабления 1983
  • Блинов Николай Николаевич
  • Лейченко Александр Ильич
  • Смехов Марк Ефимович
  • Урванцова Ирина Львовна
  • Шенгелия Нугзари Абесаломович
SU1144196A1
Устройство для калибровки анодного напряжения рентгеновского излучателя по слою кратного ослабления 1982
  • Блинов Николай Николаевич
  • Карадимов Димитр Симеонович
  • Кускова Наталия Михайловна
  • Мишкинис Борис Янович
  • Петухов Николай Николаевич
  • Смехов Марк Ефимович
SU1103372A2
Способ получения рентгенодиагностических снимков 1980
  • Хасидашвили Исаак Шаломович
  • Мишкинис Надежда Григорьевна
SU935864A1
Устройство для калибровки анодного напряжения рентгеновского аппарата по слою кратного ослабления 1981
  • Блинов Николай Николаевич
  • Мишкинис Борис Янович
  • Смехов Марк Ефимович
  • Харитонов Игорь Михайлович
SU980298A1
Устройство для определения качества рентгеновского излучения 1979
  • Блинов Н.Н.
  • Смехов М.Е.
SU786545A1
Устройство для калибровки анодного напряжения рентгеновского аппарата по слою кратного ослабления 1983
  • Блинов Николай Николаевич
  • Бардина Наталья Дмитриевна
  • Кускова Наталья Михайловна
  • Лейченко Александр Ильич
  • Шенгелия Нугзари Абесаломович
SU1144197A1
СПОСОБ РАДИОГРАФИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ПЕРЕМЕННОГО СЕЧЕНИЯ 1988
  • Зуев В.М.
  • Табакман Р.Л.
SU1526381A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДЕФЕКТОГРАММ ПРИ РАДИОГРАФИЧЕСКОМ ИЛИ РЕНТГЕНОВСКОМ КОНТРОЛЕ СВАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ 1991
  • Петров В.П.
  • Карпенко Г.В.
  • Саввин Н.И.
  • Карцева Г.Г.
  • Шуберт Г.Н.
  • Рябов В.П.
RU2030735C1
Способ определения глубины дефекта при радиографии изделий 1973
  • Трубин Виктор Федорович
  • Тощев Александр Михайлович
  • Дьяков Михаил Павлович
  • Хабибулин Ринат Хисматулович
SU458744A1

Реферат патента 1981 года Способ измерения толщины слояКРАТНОгО ОСлАблЕНия РЕНТгЕНОВСКОгОизлучЕНия

Формула изобретения SU 834 472 A1

SU 834 472 A1

Авторы

Мишкинис Надежда Григорьевна

Даты

1981-05-30Публикация

1979-09-07Подача