Способ относительного измеренияпАРАМЕТРА РЕшЕТКи МОНОКРиСТАллОВ Советский патент 1981 года по МПК G01N23/20 

1

Изобретение относится к рентгено-т дифракционным методам анализа монокристаллов и может быть использовано для неразрушающего экспрессного контроля совершенства кристаллов.,

Известен способ относительного измерения параметра решетки, заключающийся в том, что на двухслойный образец под брэгговским углом направляют рентгеновский пучо от -монохроматора и регистрируют два дифракционных максимума, соответствующие исследуемому и эталонному слою Г1 .

Однако относительная точность способа ограничена шириной области отражения кристалла и не превышает , что обусловлено применением однолучевоЯ дифракции.

Известен также способ, при котором на одну сторону исследуемого образца направляют два рентгеновских пучка, отражённых от монохроматора, служащего эталоном, и, вращая образец, регистрируют два дифракционных максимума. Поскольку в данном способе возможна раздельная регистрация дифракционных максимумов, относительная точность может быть не менее lO- -10-б -2J.

Наиболее близким к предлагаемому является способ, заключающийся в облучении плоскопараллельного образца с двух сторон двумя рентгеновскими пучками, коллимированными отражением от монохроматоров,повороте исследуемого кристалла и регистрации двух дифракционных максимумов, соответствующих отражениям от противопо0ложных сторон образца ГЗ .

Однако необходимость использования в этом способе эталонного кристалла, изготовленного из материала образца с той же ориентировкой зна5чительно сужает круг исследуемых объектов, а необходимость учета поправок на рефракцию рентгеновских лучей и необходимость высокой стабилизации поддержания температуры

0 образца и эталона существенно усложняет технику выполнения измерений.

Цель изобретения - упрощение относительного измерения параметра решетки с одновременным сохранением

5 высокой точности.

Поставленная цель достигается тем, что в способе относительного измерения параметра решетки монокристаллов, включающем облучение

0 плоскопараллельного образца с двух