Держатель образца и эталона к двухкристальному рентгеновскому спектрометру Советский патент 1984 года по МПК G01N23/20 

1 Изобретение относится к оборудова нию для рентгеноструктурного анализа в частности к устройствам для прецизионного определения периода решетки по эталону на двухкристальном рентге новском спектрометре. Известно устройство для прецизион ного определения периода решетки по эталону, содержащее П-образный монохроматор с прорезью, в которую помещают двухслойный плоскопараллельный образец со слоем изучаемого материала на одной стороне и эталоном на другой ij , Регистрация дифракционных максимумов, соответствующих отражениям (hkl) и (hkl) от противоположных сто рон образца, предъявляет определенные требования к плоскопараллельности образцов. Кроме того, обеспечение высокой точности в определении перио да решетки требует использования эта лонного кристалла из материала иссле дуемого образца и с-той же ориентацией, что значительно сужает круг исследуемых объектов. Наиболее близким к предлагаемому является держатель образца и эталона к двухкристальному рентгеновскому спектрометру, выполненный в вВДе пластины с полированной базовой плос костью. Плоскопараллельная полированная пластина круглой формы толщиной 5 мм одной плоскостью крепится к полированной поверхности гониометрической приставки, устанавливаемой .на гониометр рентгеновской установки На другую поверхность пластины, обра щенную к пучку рентгеновских лучей, помещают кристаллы эталона и исследуемого образца таким образом, чтобы монохроматизированный рентгеновский пучок попадал одновременно на оба кристалла 2J . Недостатки прототипа состоят в невозможности использования устройст ва при незначительных ( 10 ) отличиях в периодах решетки исследуе мого образца по сравнению с эталоном из-за невозможности разделения кривых отражения эталона и исследуемого образца; а также в том, что использование известного устройства предъявляет жесткие требования к отклонению гшоскости исследуемых образцов ;i эталона от кристаллографической iiKicкости, которое должно состав- : il. -v5, хотя в технологии эпитакси62ального наращивания используют подложки с отклонением от кристшиюграфической плоскости от 5 до 8° При отклонениях плоскости исследуемого образца или эталона от кристаллографической гшоскости больше 30 наблюдается значительное уширение кривой отражения, что приводит к снижению точности определения периода решетки из-за невозможности независимой настройки эталона и исследуемого образца в отражающее положение. Цель изобретения - повышение точности при прецизионном определении периода решетки на монокристаллах методом сравнения с эталоном. Поставленная цель достигается тем, что в держателе образца и эталона к двухкристальному рентгеновскому спектрометру, выполненном в виде пластины с полированной базовой плоскостью, на базовой плоскости пластины выполнено отверстие, в котором размещена вторая пластина с полированной базовой плоскостью с возможностью поворота вокруг двух взаимно перпендикулярных осей, лежащих в плоскости первой пластины. На чертеже показан предлагаемый держатель, поперечный разрез. Держатель состоит лз ллоскопараллельной полированной пластины 1 круглой формы, в одной из половин которой относительно диаметра вырезано отверстие, в которое помещена вторая поворотная пластина 2. Лицевая сторона обеих, пластин 1 н 2 выполнена плоской, а с противоположной стороны каждой из них жестко закреплены кронштейны 3 и 4. Пластина 2 опирается на шарик 5, установленньй в отверстии пластины 1 ,и поджимается к нему другим шариком 6 че- . рез пружину 7 винтом 8. На конце кронштейна 3 выполнена рамка 9 с окном и резьбовыми отверстиями, в которые ввернуты две пары винтов 10, взаимодействующих с хвостовиком кронштейна 4. Устройство работает следующим образом. Эталон и исследуемый образец размeщaю на пластинах 1 и 2 таким образом, чтобы монохроматизированный рентгеновский пучок попадал одновременно на оба кристалла, при этом один из кристаллов помещен на неподвижной пластине 1, а другой - на по

ДЕРЖАТЕЛЬ ОБРАЗЦА И ЭТАЛОШ К ДВУХКРИСТАЛЬНОМУ РЕНТГЕНОВСКОЕ СПЕКТРОМЕТРУ, выполненный в ввде пластины с полированной базовой плоскостью, отличающийся тем, что, с целью повышения точности при прецизионном определении периода решетки, в базовой плоскости пластинывьшолнено отверстие, в котором размещена вторая пластина с полированной базовой плоскостью с возможностью поворота вокруг двз взаимно перпендикулярных осей, лежащих в плоскости первой пластины.